AM-OLED用ZnO基TFT恒流源器件的研究.pdf

1、有機(jī)發(fā)光二極管已經(jīng)成為當(dāng)今顯示器中的研究熱點(diǎn)，其中，AMOLED是主流產(chǎn)品，而對(duì)于AMOLED的技術(shù)開(kāi)發(fā)，除了OLED發(fā)光器件，TFT以及其像素電路也占了重要的位置。ZnO基TFT的遷移率比a–Si TFT高，制備工藝比p-Si TFT簡(jiǎn)單，沒(méi)有晶化等過(guò)程。并且ZnO的禁帶寬度較寬，為3.37eV，在可見(jiàn)光波段透過(guò)率高，在80％以上，不僅能夠提高TFT背板的開(kāi)口率，還可以用來(lái)制備AMOLED透明顯示器件，另外由于ZnO具有低溫制備的特性

2、，也可與柔性襯底結(jié)合制備AMOLED柔性顯示器件，因此，ZnO-TFT的研究對(duì)于AMOLED的發(fā)展是有推動(dòng)作用的。本文以制備性能優(yōu)良的ZnO-TFT為目的，研究了用RF磁控濺射法制備的ZnO薄膜特性以及ZnO-TFT的制備工藝和TFT的電學(xué)性能，并且還研究了TFT像素電路的參數(shù)設(shè)計(jì)思路，主要內(nèi)容分為以下四個(gè)部分：
　　1、源漏極Al薄膜以及有源層ZnO薄膜的制備。采用磁控濺射方法，通過(guò)改變工藝參數(shù)，在ITO玻璃上制備了一系列Al以

3、及ZnO的薄膜樣品，并對(duì)薄膜進(jìn)行測(cè)試，討論了濺射壓強(qiáng)對(duì)Al薄膜沉積速率的影響以及襯底溫度、氧氣含量對(duì)ZnO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的影響。
　　2、ZnO-TFT的制備。實(shí)驗(yàn)中采用SiO2/n-Si（111）作為陣列襯底，采用磁控濺射、光刻等半導(dǎo)體工藝，通過(guò)不同的步驟制備了底柵底接觸和底柵頂接觸的TFT陣列。其中底柵底接觸結(jié)構(gòu)的TFT采用了兩次光刻，有源層ZnO薄膜的濕法刻蝕選用HCl：H2O=1:10的配比溶液，金屬電極Al薄膜的

4、濕法刻蝕選用了磷酸溶液。另外制備底柵頂接觸結(jié)構(gòu)的TFT采用了剝離工藝，不需要刻蝕。
　　3、TFT的電學(xué)性能測(cè)試。通過(guò)4200-SCS系統(tǒng)測(cè)試TFT的電學(xué)性能，得到了其輸出特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線，進(jìn)而計(jì)算出TFT的開(kāi)關(guān)比、閾值電壓、場(chǎng)效應(yīng)遷移率等性能參數(shù)，并討論了有源層厚度對(duì)TFT電學(xué)性能的影響，最后對(duì)器件的穩(wěn)定性進(jìn)行了分析。
　　4、研究了一種TFT像素驅(qū)動(dòng)電路的參數(shù)設(shè)計(jì)方法。主要分析了一種四管像素電路的各參數(shù)對(duì)輸出電流的