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文檔簡介
1、有機電致發(fā)光器件用于照明具有諸多優(yōu)點,如:發(fā)光均勻、光線自然柔和、驅(qū)動電壓低、光譜豐富、顯色指數(shù)高等,是前景廣闊的新型照明器件。本文主要從陽極材料、載流子的注入、傳輸、復(fù)合特性、陰極材料等方面討論了影響OLED照明器件特性的因素,優(yōu)化了OLED照明器件的結(jié)構(gòu)及制備工藝。
首先,論文研究了陽極材料對器件性能的影響,由于金屬銦稀缺昂貴,用傳統(tǒng)的ITO作為OLED器件的陽極,其高昂的價格將制約OLED的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。因此,本文采用價
2、格低廉的金屬Al替代ITO作為陽極,制備了綠光OLED器件,其結(jié)構(gòu)為:Al(15nm)/MoO3(40nm)/NPB(60nm)/Alq3(65nm)/LiF(1nm)/Al(100nm).并與常用的ITO陽極進行性能對比,所采用的器件結(jié)構(gòu)為:ITO/MoO3(40nm)/NPB(60nm)/Alq3(65nm)/LiF(1nm)/Al(100nm).結(jié)果表明:在驅(qū)動電壓較高的情況下,兩種不同陽極材料所對應(yīng)器件的亮度和電流密度略有差異,
3、在低電壓下的亮度曲線和電流密度曲線基本重合,說明在電場強度較低的情況下,以Al金屬為陽極的器件性能穩(wěn)定,可以替代ITO作為OLED照明器件的陽極;以半透明A1為陽極的器件具有較強的微腔效應(yīng),其光譜特性與以ITO為陽極器件相比具有明顯的窄化效應(yīng),器件色純度更好,因此,用A1作為陽極制備的OLED器件具有一定的實際意義。
其次,分別討論了發(fā)光層中不同摻雜比例和不同厚度的空穴傳輸層對OLED器件性能的影響,并從能級結(jié)構(gòu)、光譜特性
4、、發(fā)光效率、電流密度-電壓-亮度曲線等方面分析了載流子的注入、傳輸、復(fù)合機理。制備了綠光OLED照明器件以及基于ADN為主體材料的多摻雜白光器件,其中綠光器件的結(jié)構(gòu)為:ITO/2T-NATA(15nm)/NPB(25nm)/A1q3(20nm):C545T(X%)(wt%)/Alq3(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),X=0、1、2、3、4、5。研究了C545T的摻雜比例對綠光器件性能的影響,實驗發(fā)現(xiàn):用2T-NATA作
5、為空穴注入層能夠提高載流子的注入效果。當(dāng)C545T的摻雜濃度為3%時,器件的性能較佳,最大亮度達(dá)到12418 cd/m2,發(fā)光效率為10.22cd/A,是未摻雜器件發(fā)光效率的4倍。通過引入C545T摻雜材料,可以有效地傳遞能量,改善器件的發(fā)光效率和色純度。所制備的白光器件結(jié)構(gòu)為:ITO/2TNATA(15nm)/NPB(25nm)/ADN(30nm):TBPe(2%):DCJTB(X%)/A1q3(20nm)/LiF(1nm)/Al(1
6、00nm),X=0%、1%、2%、3%。討論了不同DCJTB摻雜比例對白光器件性能的影響,發(fā)現(xiàn):改變DCJTB的摻雜濃度對OLED器件的顏色有很大的影響,當(dāng)摻雜比例為1%時,器件發(fā)光顏色為白光,CIE色坐標(biāo)為(0.3186,0.3520);當(dāng)摻雜比例分別為0%,2%,3%時,器件分別輻射出藍(lán),黃,橙色的光。研究還發(fā)現(xiàn):當(dāng)摻雜比例為1%時,器件的發(fā)光效率最高,達(dá)6.6 cd/A。論文還研究了不同傳輸層厚度對器件性能的影響,其結(jié)構(gòu)為:ITO
7、/2T-NATA(15nm)/NPB(Xnm)/ADN(30nm):TBPe(2%):DCJTB(1%)/A1q3(20nm)/LiF(1nm)/A1(100nm),X=15、30、35、40。結(jié)果表明:優(yōu)化NPB的厚度可以有效提高器件的發(fā)光效率和亮度,當(dāng)NPB厚度為35nm時,器件的效率最高,達(dá)到7.81cd/A。
最后,討論了兩種不同陰極材料對電子注入能力及發(fā)光性能的影響。分別采用LiF/Al和鈣鋁合金作為OLED照明
8、器件的陰極。器件結(jié)構(gòu)為:A)Al(15nm)/MoO3(40nm)/NPB(60nm)/AlQ(30nm)/Bphen(30nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。B)Al(15nm)/MoO3(40nm)/NPB(60nm)/AlQ(30nm)/Bphen(30nm)/Ca(10%):Al(100nm)。
結(jié)果表明:相對于Ca:Al合金,LiF/Al陰極能夠有效提高器件的亮度。LiF/Al陰極具有更強的電子注入能力
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