等溫過程曲率驅(qū)動下晶粒長大的元胞自動機模擬.pdf

1、晶粒長大是退火過程中的主要現(xiàn)象。材料在退火后的晶粒平均尺寸是衡量材料性能的一個重要指標，因此研究晶粒長大過程對提高材料性能有著重要的意義。
　　再結(jié)晶結(jié)束后，受曲率驅(qū)動作用晶界產(chǎn)生遷移。
　　本研究基于晶界遷移理論和元胞自動機方法，分別對等溫過程曲率驅(qū)動下的三叉晶界、單晶粒及多晶粒的遷移規(guī)律進行了研究。
　　研究結(jié)果表明:
　　(1)三叉晶界的遷移規(guī)律與晶粒邊數(shù)有關(guān)。當晶粒邊數(shù)n＜6時，三叉晶界朝向晶粒內(nèi)部遷移，

2、晶?？s小。當晶粒邊數(shù)n＞6時，三叉晶界向晶粒外部遷移，晶粒長大。
　　(2)二面角或轉(zhuǎn)向角對三叉晶界系統(tǒng)的運動有著重要的影響。當晶粒邊數(shù)n＜6時，1/2二面角θ的取值范圍為(0，p/3]，三叉晶界對系統(tǒng)的阻礙隨著θ的增大而減弱;晶粒邊數(shù)n＞6時，轉(zhuǎn)向角θ的取值范圍為[p/3，p/2)，三叉晶界對系統(tǒng)的阻礙時隨著θ的增大而增強。
　　(3)單晶粒的形變規(guī)律與晶粒的邊數(shù)有關(guān)。邊數(shù)n＜6的晶粒會逐漸縮小，邊數(shù)n＞6的晶粒會逐漸增大