IGBT應(yīng)用特性測試與分析.pdf

1、獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作和取得的研究成果，除了文中特別加以標注和致謝之處外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得丞洼王些太堂或其他教育機構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均已在論文中作了明確的說明并表示了謝意。學(xué)位論文作者簽名：f司矗蠡找簽字日期：砂侈年弓月歹同學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解丞洼王些太堂有關(guān)保留、使用學(xué)位論

2、文的規(guī)定。特授權(quán)丞洼王些太堂可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進，i亍檢索，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編以供查閱和借閱。同意學(xué)校向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說明)一躲：習(xí)必武鈰虢撇簽字日期：沙f弓年弓月廠日簽字日期挪年鄉(xiāng)矽曰摘要絕緣柵雙極晶體管(InsulateGateBipolarTrallsistor，IGBT)是一種由場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極型功率

3、晶體管(BJT)結(jié)合而成的達林頓結(jié)構(gòu)，是一種被得到廣泛應(yīng)用的功率電子器件。為了對IGBT的應(yīng)用特性進行測試和分析，設(shè)計并開發(fā)了一套IGBT測試和分析的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括IGBT逆變焊機平臺，數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及數(shù)據(jù)處理和分析模塊。選擇了基于DsP控制的IGBT逆變焊機作為測試平臺，對國內(nèi)和國外不同的IGBT模塊應(yīng)用進行分析和比較。在不同的工況下，分別采集各個模塊在工作過程中的技術(shù)參數(shù)的數(shù)據(jù)，根據(jù)采集的數(shù)據(jù)對各個模塊的工作特性進行分析和比較，包

4、括IGBT導(dǎo)通過程的時間和導(dǎo)通過程損耗，以及關(guān)斷過程的時間和關(guān)斷過程的損耗。由于測試系統(tǒng)會受到系統(tǒng)電路的元器件干擾，同時系統(tǒng)電源的不穩(wěn)定也會對數(shù)據(jù)測量的結(jié)果造成影響。此外系統(tǒng)外部的雜波也會測量結(jié)果產(chǎn)生一定的誤差。所以采用數(shù)據(jù)處理的相關(guān)方法對采集的數(shù)據(jù)進行分析，確保采集的數(shù)據(jù)是準確的，保證結(jié)果的準確性。在線測試了歐派克公式的BSMl50GBl20dn2模塊和宏微科技公司MMGl00s12086C和MMG75s12086C兩個模塊，進行了相