3300VPlanar IGBT的仿真分析與設(shè)計.pdf

1、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是一種應(yīng)用成熟、應(yīng)用領(lǐng)域?qū)拸V的新型半導(dǎo)體功率器件。國外主要IGBT廠商的技術(shù)已經(jīng)過了六代產(chǎn)品的更迭，而目前國內(nèi)IGBT的研發(fā)與制作才處于剛起步階段?；诒緦嶒炇遗c國內(nèi)某知名半導(dǎo)體公司合作研發(fā)項目，進(jìn)行一種3300V Planar IGBT器件的設(shè)計，以期能夯實我國高壓IGBT器件生產(chǎn)制造的技術(shù)儲備。
　　文中對一款3300V Planar IGBT進(jìn)行設(shè)計分析，包括：IGBT工藝流程設(shè)計和關(guān)鍵工藝制程

2、的確定、元胞結(jié)構(gòu)的設(shè)計和關(guān)鍵參數(shù)的分析與確定；終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計以及經(jīng)過仿真分析最終優(yōu)化。
　　1、進(jìn)行3300V Planar IGBT的器件工藝流程和結(jié)構(gòu)設(shè)計，并完成仿真分析。設(shè)計元胞結(jié)構(gòu)中的柵極形狀、有源區(qū)形狀和器件縱向結(jié)構(gòu)；討論并確定器件材料的晶向、電阻率、厚度和載流子壽命等參數(shù)；設(shè)計器件制作的主要工藝流程，討論關(guān)鍵工藝步驟的實現(xiàn)方式，完成工藝步驟的模擬仿真，最終確定工藝具體步驟；在完成了元胞結(jié)構(gòu)設(shè)定和工藝流程設(shè)定之后，進(jìn)行器