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文檔簡介
1、智能手機和平板電腦的高速發(fā)展使得高速、大容量的非揮發(fā)存儲器需求提高，而Flash因為操作電壓高，讀寫速度不快而且Scaling將要到達極限將不能滿足未來的要求。目前研究人員正在開發(fā)的新型非揮發(fā)存儲器主要有鐵電存儲器(FeRAM)，磁存儲器(MRAM)，相變存儲器(PRAM，PCRAM)以及阻變存儲器(RRAM)。
阻變存儲器(Resistance switching RAM)具備操作電壓低，操作時間短，單元面積小等優(yōu)點;基于金
2、屬氧化物的阻變存儲器由于其結構簡單、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點，被認為是最具潛力的下一代非揮發(fā)存儲技術。由于阻變存儲器的巨大潛力，其日益引起人們的重視。在對阻變存儲器的阻變機制研究方面，導電細絲理論是最為廣泛接受的，但導電細絲的生長和斷裂具體的物理過程仍不明確。
本文研究了基于原子層淀積生長的NbAlO薄膜的阻變存儲器和基于原子層淀積生長的HfAlO薄膜的阻變存儲器的材料特性，測量了其在低溫下的電學特性。在實驗的基礎上，基于導電細絲
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