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文檔簡(jiǎn)介
1、隨著個(gè)人移動(dòng)設(shè)備的普及和互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)等信息技術(shù)的快速發(fā)展,我們的生活已經(jīng)進(jìn)入了大數(shù)據(jù)時(shí)代。如何從海量數(shù)據(jù)中高效地獲得有效信息,幫助和指導(dǎo)人們進(jìn)行決策,是大數(shù)據(jù)時(shí)代下我們面臨的重大挑戰(zhàn),同時(shí)也為我們帶來(lái)了前所未有的機(jī)遇。
存儲(chǔ)是大數(shù)據(jù)處理平臺(tái)的基礎(chǔ)設(shè)施,傳統(tǒng)的機(jī)械磁盤由于其高訪問(wèn)延遲、低帶寬,難以滿足海量數(shù)據(jù)快速處理和存儲(chǔ)的需求,這也促進(jìn)了各種新型非易失存儲(chǔ)介質(zhì)的蓬勃發(fā)展,涌現(xiàn)了以flash、PCM為代表的各種新型非易失存儲(chǔ)介
2、質(zhì)。傳統(tǒng)的I/O棧是基于磁盤設(shè)計(jì)和優(yōu)化的,相對(duì)于新型非易失存儲(chǔ),仍有許多不適合之處。因此,我們需要對(duì)傳統(tǒng)的I/O棧進(jìn)行優(yōu)化,以便充分利用新型非易失存儲(chǔ)的性能。
針對(duì)現(xiàn)今廣泛應(yīng)用于企業(yè)級(jí)的PCIe閃存固態(tài)盤,本文對(duì)傳統(tǒng)I/O棧的塊層、驅(qū)動(dòng)層進(jìn)行了優(yōu)化研究。基于我們自主設(shè)計(jì)的PCIe閃存固態(tài)盤原型系統(tǒng),通過(guò)采用內(nèi)核緩存旁路技術(shù)、本地命令隊(duì)列優(yōu)化設(shè)計(jì)、多請(qǐng)求隊(duì)列和多中斷的優(yōu)化方法,PCIe閃存固態(tài)盤的性能得到大幅提升,讀寫帶寬從2G
3、B/s提升到2.8GB/s,4KB讀請(qǐng)求IOPS增加到原來(lái)的4倍,4KB寫IOPS增加到原來(lái)的6倍。
針對(duì)新型非易失存儲(chǔ)介質(zhì)訪問(wèn)低延遲的特性,本文研究了中斷和輪詢兩種不同的I/O響應(yīng)機(jī)制對(duì)小請(qǐng)求的性能影響。我們首先實(shí)現(xiàn)了一個(gè)支持請(qǐng)求特征感知I/O響應(yīng)機(jī)制的I/O棧,該I/O棧對(duì)于4KB請(qǐng)求采用輪詢響應(yīng)方式,對(duì)于大于4KB請(qǐng)求采用中斷響應(yīng)方式。通過(guò)采用PCIe閃存固態(tài)盤上的DRAM來(lái)模擬新型非易失存儲(chǔ),對(duì)I/O棧的性能進(jìn)行測(cè)試發(fā)
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