LVDS接口I-O抗輻射加固技術(shù)研究.pdf

1、LVDS（低電壓差分信號）是CMOS電路設(shè)計中一項重要技術(shù)。當今社會，隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，需要傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量越來越大，對傳輸速度要求也越來越高。LVDS技術(shù)具有著高速度，低功耗，低成本，抗共模噪聲能力強等優(yōu)點。對解決這一瓶頸提供了可能。
　　本文基于SMIC0.13微米工藝，參照TIA/EIA-644-A-2001國際標準及IEEE國際標準對LVDS接口I/O電路及版圖進行了設(shè)計，其中包括LVDS驅(qū)動器，LVDS接收器，帶隙基準

2、源，及其輔助模塊。論文對LVDS技術(shù)優(yōu)越性進行了詳細介紹，對各個模塊電路原理進行仔細的分析，最終實現(xiàn)一套具有完整功能的LVDS接口電路及其版圖，并實現(xiàn)抗輻射加固的功能。
　　本文采用了帶反饋調(diào)節(jié)機制的 LV DS驅(qū)動器結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)更穩(wěn)定的性能。采用了可同時提供基準電壓和基準電流的帶隙基準源電路從而簡化了電路結(jié)構(gòu)，減小了版圖面積。采用新型開關(guān)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了更為有效的開關(guān)狀態(tài)。最終給出量化的仿真結(jié)果。此外，本文基于對抗輻射加固要求，針對于單