PLD法制備氧化物異質(zhì)結(jié)器件的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、金屬氧化物半導(dǎo)體因其具有優(yōu)良的電、磁、光學(xué)等性能，被認(rèn)為是可以拓展硅基器件功能的材料。其中ZnO是近十幾年來非常熱門的光電材料，而基于ZnO的異質(zhì)結(jié)器件在光電探測、電致發(fā)光及太陽電池等許多領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。
　　本論文闡述了ZnO、NiO和Cu2ZnSnS4(CZTS)三種材料的結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)和研究進(jìn)展，介紹了薄膜的沉積技術(shù)(PLD、磁控濺射和電子束蒸發(fā))以及薄膜和器件的常規(guī)表征手段。制備了ZnO、NiO和CZTS靶材，利用PL

2、D法在Si基片上制備了ZnO、NiO和CZTS薄膜，利用X射線衍射(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌進(jìn)行了表征。
　　在Si(111)基片上制備了p-NiO/n-ZnO異質(zhì)結(jié)器件。研究了金屬與半導(dǎo)體之間的接觸問題，采用電子束蒸發(fā)法沉積Ti金屬制備了器件的電極。使用AFM表征了ZnO薄膜的表面形貌，測試了p-NiO/n-ZnO器件的I-V特性，器件的理想因子為4，對光照的響應(yīng)迅速。
　　在Si(100

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