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文檔簡介
1、鈣鈦礦錳氧化物由于其電荷有序、自旋有序、晶格畸變以及軌道有序等多種自由度存在相互耦合,使得它在磁存儲、自旋閥、磁傳感器件和自旋晶體管等方面有著廣泛的應用。由于對小型器件的需求,以及鈣鈦礦錳氧化物薄膜的制備技術的提高,人們在薄膜的制備和小型器件的研究方面取得了比較大的成果。La1-xCaxMnO3作為鈣鈦礦錳氧化物中典型的材料,引起了廣大研究者們的興趣,特別是近幾年對該材料薄膜的研究,主要研究內(nèi)容包括:整流特性、磁電阻效應、電致電阻效應、
2、磁電容效應、電致電容效應和高低阻等等。
本論文主要研究La1-xCaxMnO3(LCMO)(x=0.2,0.3,0.375,0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜隨Ca摻雜濃度的變化其晶格常數(shù)的變化情況,以及LCMO/Sro.995Nb0.005TiO3(SNTO)p-n結的磁電容效應,磁電容效應的存在主要取決于LCMO中的相分離的現(xiàn)象。各章的主要內(nèi)容如下:
第一章我們主要介紹了鈣鈦礦錳氧化物的基本性質(zhì),包括研
3、究歷史,晶體結構,磁結構和電磁相圖;鈣鈦礦錳氧化物薄膜中的應力及其p-n結的研究進展;鈣鈦礦錳氧化物p-n結的磁電容效應和引起該效應的三個主要因素。
第二章主要介紹了La1-xCaxMnO3(x=0.2,0.3,0.375,0.4,0.5,0.6,0.7)薄膜的晶格常數(shù)隨著Ca摻雜濃度的變化情況,從中我們得到了[(c-c0)/c0(%)]的值,按照一般情況來說,該值應該是負值,但是從Ca摻雜濃度為0.4起,該值變成負值,我
4、們主要從三個方面來對該現(xiàn)象進行分析和討論,我們認為以上現(xiàn)象主要是由薄膜和襯底的熱膨脹系數(shù)不同所導致的。
第三章我們主要測量了La1-xCaxMnO3/SNTO(x=0.2,0.3,0.4)三個樣品的磁電容效應,我們得出當x=0.3時的磁電容是最大的,磁電容的存在主要是由LCMO的相分離導致的。我們還用理想因子和磁性質(zhì)分別解釋了當x=0.2和x=0.4時磁電容比較小的原因。
第四章我們簡要介紹一下金屬-絕緣體-
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