摻雜ZnO薄膜的制備及其異質(zhì)結(jié)紫外光特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、目前，ZnO基光電器件中一個難題是優(yōu)質(zhì)穩(wěn)定的p型ZnO材料制備。由于鋅填隙與氧空位，未摻雜的ZnO為n型半導(dǎo)體，自補償效應(yīng)對p型ZnO制備有負(fù)面作用。因此，ZnO基光電器件的結(jié)構(gòu)一般是以n型ZnO與其他p型材料形成的異質(zhì)結(jié)。本文以ITO（透明導(dǎo)電薄膜）為襯底制備良好的p型ZnO薄膜，形成異質(zhì)結(jié)，表征制備薄膜，研究異質(zhì)結(jié)紫外光探測特性。
　　本文研究內(nèi)容：
　　（1）在查閱國內(nèi)外相關(guān)文獻后，對ZnO相關(guān)的知識進行了總結(jié)歸納，介

2、紹ZnO結(jié)構(gòu)及基本性質(zhì)，闡述了異質(zhì)結(jié)相關(guān)內(nèi)容，另外，對目前ZnO基紫外光探測器進行了分類。
　?。?）著重介紹磁控濺射相關(guān)理論，另外，對其他常見的薄膜制備方法進行簡要概括，總結(jié)薄膜表征方法，對不同表征方法的原理進行概括。
　?。?）在ITO襯底上制備不同Ag含量的ZnO薄膜，對薄膜進行表征，霍爾效應(yīng)測試結(jié)果表明Ag摻雜ZnO薄膜為p型，Ag摻雜ZnO薄膜與ITO形成異質(zhì)結(jié)，對異質(zhì)結(jié)紫外光響應(yīng)特性進行了研究。
　　（4）

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