ZnO納米線pn結(jié)紫外光電探測(cè)器的制備與特性研究.pdf

1、紫外光電探測(cè)器（UVD）由于在軍事、科學(xué)檢測(cè)、通訊等領(lǐng)域具有廣泛的實(shí)際應(yīng)用潛力而吸引了大量的研究關(guān)注。ZnO作為一種重要的Ⅱ-Ⅵ族寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，具有生長(zhǎng)溫度低，原料豐富，成本低廉，環(huán)境友好等優(yōu)點(diǎn)，因而成為制備UVD的極佳材料?，F(xiàn)如今，得益于微納組裝技術(shù)的進(jìn)步，使用一維納米材料由下而上（bottom-up）制備微納電子器件也越來越受到重視。
　　本研究工作使用配備有操作探針和氣體注入系統(tǒng)（GIS）的FIB/SEM聚焦離

2、子/電子雙束顯微電鏡實(shí)現(xiàn)了單根納米線的精確切割、提取、轉(zhuǎn)移、焊接。這種方法準(zhǔn)確、快速、有效，可用于微納電子器件的組裝。
　　首先，我們使用化學(xué)氣相沉積（CVD）的方法制備出了高質(zhì)量的單晶ZnO納米線和p型Sb摻雜 ZnO納米線。然后，使用這種微納組裝的方法制備了 ZnO與Sb摻雜ZnO納米線pn結(jié)UVD，并對(duì)其進(jìn)行了光電性能測(cè)試。這種UVD展現(xiàn)出如下突出優(yōu)點(diǎn)：
　　1.較高的靈敏度和穩(wěn)定性。在?0.1 V反向偏壓下，這種UV