無機(jī)納米材料光電特性及應(yīng)用研究.pdf

1、近年來，具有表面效應(yīng)和小尺寸效應(yīng)的納米材料所具有的光電性能備受重視，以期應(yīng)用于微電子、高能激光、生物標(biāo)簽以及大面積顯示等等。我們從低溫、低成本、易控制、環(huán)境友好型的制備技術(shù)出發(fā)，合成出無機(jī)納米材料，從而研究納米金屬氧化物的電學(xué)性能和納米摻稀土化合物的光學(xué)性能，并采用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、熒光光譜(PL)、X射線衍射(XRD)、紅外光譜(FTIR)、拉曼光譜(Raman)和Keithley4200等對(duì)合成的納米材料結(jié)構(gòu)、

2、光電性能進(jìn)行測試和表征。全文的主要?jiǎng)?chuàng)新結(jié)果如下：
　　 1、采用水熱法成功生長出了形貌均勻，直徑約500納米、長度可超過20微米的ZnO棒，表征結(jié)果顯示ZnO納米棒有少量的晶格缺陷，例如氧空位等，同時(shí)給出ZnO生長機(jī)理：
　　 2、利用介電電泳法制備ZnO基納米元器件。通過ZnO納米棒的過濾、Al對(duì)電極的制備和介電電泳過程來搭建確定數(shù)目的ZnO納米棒，制備出ZnO基元器件，測試表明ZnO基元器件具有良好的電性能。最后給出

3、介電電泳的原理；
　　 3、在室溫下采用pH循環(huán)法制備出分散性好、長約60nm、寬約20nm的摻釹氟磷酸鍶納米材料。實(shí)驗(yàn)過程中，pH變化的幅度、每個(gè)pH階段反應(yīng)的時(shí)間和pH循環(huán)的次數(shù)對(duì)于氟磷酸鍶的制備起非常關(guān)鍵的作用。同時(shí)考察退火溫度對(duì)摻釹氟磷酸鍶材料晶體形貌、結(jié)構(gòu)以及光學(xué)性能的影響。結(jié)果顯示，隨著退火溫度的升高，樣品的熒光性能大幅度提高，并且在700℃高溫退火后的樣品熒光壽命高達(dá)330μs，比一些Sr5(PO4)3F：Nd3+