無機納米材料光電特性及應用研究.pdf

1、近年來，具有表面效應和小尺寸效應的納米材料所具有的光電性能備受重視，以期應用于微電子、高能激光、生物標簽以及大面積顯示等等。我們從低溫、低成本、易控制、環(huán)境友好型的制備技術(shù)出發(fā)，合成出無機納米材料，從而研究納米金屬氧化物的電學性能和納米摻稀土化合物的光學性能，并采用掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、熒光光譜(PL)、X射線衍射(XRD)、紅外光譜(FTIR)、拉曼光譜(Raman)和Keithley4200等對合成的納米材料結(jié)構(gòu)、

2、光電性能進行測試和表征。全文的主要創(chuàng)新結(jié)果如下：
　　 1、采用水熱法成功生長出了形貌均勻，直徑約500納米、長度可超過20微米的ZnO棒，表征結(jié)果顯示ZnO納米棒有少量的晶格缺陷，例如氧空位等，同時給出ZnO生長機理：
　　 2、利用介電電泳法制備ZnO基納米元器件。通過ZnO納米棒的過濾、Al對電極的制備和介電電泳過程來搭建確定數(shù)目的ZnO納米棒，制備出ZnO基元器件，測試表明ZnO基元器件具有良好的電性能。最后給出

3、介電電泳的原理；
　　 3、在室溫下采用pH循環(huán)法制備出分散性好、長約60nm、寬約20nm的摻釹氟磷酸鍶納米材料。實驗過程中，pH變化的幅度、每個pH階段反應的時間和pH循環(huán)的次數(shù)對于氟磷酸鍶的制備起非常關(guān)鍵的作用。同時考察退火溫度對摻釹氟磷酸鍶材料晶體形貌、結(jié)構(gòu)以及光學性能的影響。結(jié)果顯示，隨著退火溫度的升高，樣品的熒光性能大幅度提高，并且在700℃高溫退火后的樣品熒光壽命高達330μs，比一些Sr5(PO4)3F：Nd3+