鎳鐵摻雜的GeTe基磁性相變材料模擬計算研究.pdf

1、隨著信息時代的高速發(fā)展，對于數(shù)據(jù)存儲、處理的需求急劇增大，人們對于高性能存儲材料的需求也大大增加。磁性相變材料因其集合了稀磁半導體材料和相變材料的兩種特性，既具有稀磁半導體的自旋及半導體特性，又具備了相變結(jié)構(gòu)變化導致光學、電學等物理特性產(chǎn)生變化的特點，受到了人們的廣泛關(guān)注，認為它是新型邏輯功能器件的可靠應用材料。GeTe作為相變材料，是第一批被科學家發(fā)現(xiàn)同時具有快速相變，且相變前后具有相當大的電學特性的材料，由于其結(jié)晶溫度高，相變前后特

2、性差異較大，且在常溫下相變結(jié)構(gòu)很穩(wěn)定的特點，在研究磁性相變材料的領(lǐng)域中占有一席之地。
　　本文采用了第一性原理從頭算模擬計算方法，結(jié)合贗勢平面波方法，使用VASP軟件包建立了Ni、Fe摻雜的GeTe基磁性相變材料結(jié)構(gòu)模型，對其進行了一系列的結(jié)構(gòu)優(yōu)化，并通過分子動力學計算，得到了晶態(tài)和非晶態(tài)GeTe基磁性相變材料的兩種結(jié)構(gòu)模型。在此基礎(chǔ)上，計算了不同摻雜濃度下Ge1-xFexTe材料和Ge1-xNixTe材料的磁矩、態(tài)密度和電子局域