太陽能電池材料Cu2ZnSnS4納米晶的水熱合成和表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、四元化合物Cu2ZnSnS4是一種理想的太陽能電池吸收層材料，其禁帶寬度與半導體太陽能電池所要求的最佳禁帶寬度十分接近，具有大的吸收系數(shù)，另外元素來源豐富、污染小，從而成為太陽能電池吸收層的最佳候選材料。在過去20多年，多個研究組分別用各種方法如溶膠-凝膠、濺射沉積、噴霧熱解、共沉積和軟化學方法等方法成功制備出了Cu2ZnSnS4吸收層。并且光電轉(zhuǎn)化率從1996年的0.66％提高至2010年的9.6％。
　　 本文旨在進一步發(fā)展

2、和豐富水熱合成技術(shù)并利用它制備Cu2ZnSnS4納米晶，發(fā)展一種相對普適的合成路線。同時對合成的納米結(jié)構(gòu)進行了表征。具體工作如下:
　　 1.Cu2ZnSnS4納米晶的制備。利用水熱法以氯化亞銅(CuCl)、氯化鋅(ZnCl2)、四氯化錫(SnCl4·5H2O)、硫脲為原料在200℃制備了Cu2ZnSnS4納米晶。研究了反應時間和反應溫度對產(chǎn)物的影響。
　　 2.Cu2ZnSnS4納米材料結(jié)構(gòu)表證。利用XRD、TEM、H

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