太陽(yáng)能電池材料Cu2ZnSnS4納米晶的水熱合成和表征.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè)，還剩115頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶(hù)提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、四元化合物Cu2ZnSnS4是一種理想的太陽(yáng)能電池吸收層材料，其禁帶寬度與半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池所要求的最佳禁帶寬度十分接近，具有大的吸收系數(shù)，另外元素來(lái)源豐富、污染小，從而成為太陽(yáng)能電池吸收層的最佳候選材料。在過(guò)去20多年，多個(gè)研究組分別用各種方法如溶膠-凝膠、濺射沉積、噴霧熱解、共沉積和軟化學(xué)方法等方法成功制備出了Cu2ZnSnS4吸收層。并且光電轉(zhuǎn)化率從1996年的0.66％提高至2010年的9.6％。
　　 本文旨在進(jìn)一步發(fā)展

2、和豐富水熱合成技術(shù)并利用它制備Cu2ZnSnS4納米晶，發(fā)展一種相對(duì)普適的合成路線(xiàn)。同時(shí)對(duì)合成的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。具體工作如下:
　　 1.Cu2ZnSnS4納米晶的制備。利用水熱法以氯化亞銅(CuCl)、氯化鋅(ZnCl2)、四氯化錫(SnCl4·5H2O)、硫脲為原料在200℃制備了Cu2ZnSnS4納米晶。研究了反應(yīng)時(shí)間和反應(yīng)溫度對(duì)產(chǎn)物的影響。
　　 2.Cu2ZnSnS4納米材料結(jié)構(gòu)表證。利用XRD、TEM、H

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶(hù)所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶(hù)上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶(hù)上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶(hù)因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論