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1、目前在砷化鎵半導(dǎo)體激光器的制備中，需要將襯底減薄到一定程度，襯底存在電阻，會產(chǎn)生發(fā)熱現(xiàn)象，減薄后的襯底背面存在表面損傷層，導(dǎo)致減薄后的外延片變形且容易碎裂，從而影響成品率。因此，需要通過減薄工藝，降低芯片歐姆接觸的電阻，減少器件發(fā)熱;經(jīng)過拋光工藝，去除上述表面損傷層，消除殘余應(yīng)力，最終達到半導(dǎo)體激光器性能的提高。
本文首先建立了減薄與拋光中顆粒的微極性模型，然后對垂直緩進給減薄進行了改進，并做了力學(xué)和運動學(xué)的分析，提出了減薄采
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