半導體激光器實驗報告

1、 實驗 實驗 13 半導體激光器實驗 半導體激光器實驗【實驗目的】 【實驗目的】1. 通過實驗熟悉半導體激光器的電學特性、光學特性。2. 掌握半導體激光器耦合、準直等光路的調(diào)節(jié)。3. 根據(jù)半導體激光器的光學特性考察其在光電子技術方面的應用。4. 掌握 WGD-6 光學多道分析器的使用【儀器用具】 【儀器用具】半導體激光器

2、及可調(diào)電源、WGD-6 型光學多道分析器、可旋轉(zhuǎn)偏振片、旋轉(zhuǎn)臺、多功能光學升降臺、光功率指示儀【實驗原理】 【實驗原理】1、半導體激光器的基本結(jié)構(gòu) 、半導體激光器的基本結(jié)構(gòu)半導體激光器的全稱為半導體結(jié)型二極管激光器，也稱激光二極管，激光二極管的英文名稱為 laser diode，縮寫為 LD。大多數(shù)半導體激光器用的是 GaAs 或 GaAlAs 材料。P-N結(jié)激光器的基本結(jié)構(gòu)和基本原理如圖 13-1 所示，P-N 結(jié)通常在 N 型襯底

3、上生長 P 型層而形成。在 P 區(qū)和 N 區(qū)都要制作歐姆接觸，使激勵電流能夠通過，這電流使得附近的有源區(qū)內(nèi)產(chǎn)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)（載流子反轉(zhuǎn)），還需要制成兩個平行的端面起鏡面作用，為形成激光模提供必需的光反饋。圖 13-1（a） 半導體激光器結(jié)構(gòu)圖 13-2 半導體激光器的 P-I 特性圖 13-3 不同溫度下半導體激光器的發(fā)光特性3、伏安特性 、伏安特性伏安特性描述的是半導體激光器的純電學性質(zhì)，通常用 V-I 曲線表示。V-I 曲線的變化反映