銅-硅納米線陣列(Cu-SiNWs)的制備及其SERS基底性能的研究.pdf

1、拉曼光譜技術(shù)可以用于檢測分析物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)以及組成信息，該技術(shù)具有靈敏度高、對樣品無損害的特點，在生物信息、化學、環(huán)境等各大領(lǐng)域有著廣泛的應用。隨著科學技術(shù)的發(fā)展，表面增強拉曼光譜（Surface-Enhanced Raman Scattering，SERS）技術(shù)得以迅速發(fā)展，由此擴寬了拉曼光譜的應用范圍。SERS技術(shù)具有檢測限度低、無損、高效和可重復等優(yōu)點，在過去的幾十年里獲得了廣泛的關(guān)注。它在分析化學、生物醫(yī)學、環(huán)境保護及痕量檢測方

2、面都發(fā)揮了重要的作用。所以，研究性價比更高、制作工藝更簡單的SERS基底成為SERS技術(shù)發(fā)展的迫切需要。本文針對銅硅納米線陣列的制備及其SERS基底性能進行研究。主要內(nèi)容如下：
　　首先，對表面增強拉曼光譜技術(shù)進行了闡述，并對其增強機理進行解釋。拉曼增強的關(guān)鍵技術(shù)是活性基底的制備，因此，本文研究設(shè)計了新的活性基底，探索其增強機理以便制備工藝簡單、性價比更高的SERS基底。
　　其次，本文使用化學刻蝕法對硅納米線進行制備，研究

3、納米線生長情況與刻蝕時間的關(guān)系；同時分析了硅納米線形貌的影響因素。
　　最后，以硅納米線為模板設(shè)計了一種新型的活性基底（Cu-SiNWs，銅硅納米線陣列）。硅納米線是一種半導體納米材料，本身就具有一定的拉曼增強效果，在納米線結(jié)構(gòu)上修飾以銅納米顆粒，利用探針分子（R6G）來檢測其增強效果。并對納米線長度、銅納米顆粒大小對SERS性能的影響進行探究。
　　該活性基底具有制備簡單、增強活性好并且具有一定穩(wěn)定性的特點，作為一種新型活