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文檔簡(jiǎn)介
1、硅的納米結(jié)構(gòu)是一種優(yōu)異的半導(dǎo)體材料,具有化學(xué)、物理及力學(xué)等性能。它的光致發(fā)光性能使得硅納米結(jié)構(gòu)的光集成電路有望成為現(xiàn)實(shí)。本文對(duì)金屬輔助化學(xué)法制備硅納米線結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究,并對(duì)硅納米線陣列的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了探討,主要工作如下:
1.采用化學(xué)刻蝕法制備硅納米線陣列,通過(guò)改變反應(yīng)溶液的濃度,刻蝕時(shí)間,刻蝕溫度等參數(shù),獲得制備硅納米線陣列的最佳參數(shù)。基于此,對(duì)化學(xué)刻蝕法的機(jī)理進(jìn)行了分析,并得到了一種制備硅納米孔洞的方法。
2、 2.對(duì)硅納米線陣列的簇狀結(jié)構(gòu)的形成進(jìn)行了分析,認(rèn)為穩(wěn)定性是簇狀結(jié)構(gòu)形成的重要決定因素。
3.晶體硅是間接帶隙半導(dǎo)體,不能發(fā)光,而硅納米線陣列結(jié)構(gòu)是直接帶隙半導(dǎo)體,有良好的光學(xué)性質(zhì),通過(guò)掃描電鏡以及熒光光譜儀等的測(cè)試,對(duì)硅納米線陣列發(fā)發(fā)光的機(jī)理進(jìn)行了探討。
4.紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)對(duì)硅納米線陣列和硅納米孔洞結(jié)構(gòu)的測(cè)試,發(fā)現(xiàn)硅的納米結(jié)構(gòu)具有很好的減反射效果,我們對(duì)此進(jìn)行了分析,這種性質(zhì)有望在光伏產(chǎn)業(yè)方面有很好的應(yīng)
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