新型陣列式發(fā)光二級(jí)管的關(guān)鍵工藝研究.pdf

1、本文基于創(chuàng)新設(shè)計(jì)的陣列式LED結(jié)構(gòu),完成了器件的版圖設(shè)計(jì)和繪制,通過(guò)對(duì)實(shí)驗(yàn)潛在的問(wèn)題的分析提出了總實(shí)驗(yàn)方案。主要研究結(jié)果如下:
　　 1、設(shè)計(jì)了一種新型陣列式LED器件,其主要功能是通過(guò)行線和列線的驅(qū)動(dòng)可以使得行線和列線交叉處的每一個(gè)LED小單元單獨(dú)發(fā)光。
　　 2、本研究將構(gòu)成此發(fā)光二極管陣列的多個(gè)發(fā)光二極管單元,以半導(dǎo)體工藝制作于同一襯底上,從而縮小了整個(gè)發(fā)光二極管陣列的尺寸和節(jié)省了發(fā)光二極管陣列的制作成本。

2、　　 3、以二氧化硅做掩膜,通過(guò)連續(xù)刻蝕的方式實(shí)現(xiàn)深寬比較大的隔離槽的刻蝕,采用臺(tái)階儀、SEM等進(jìn)行分析,保證隔離槽刻蝕到藍(lán)寶石之上,使得各個(gè)發(fā)光二極管單元之間實(shí)現(xiàn)電學(xué)隔離,減少了漏電現(xiàn)象的發(fā)生。
　　 4、在具備倒裝工藝的條件下,描述了倒裝陣列式發(fā)光二極管器件的制作流程,并且給出了Si基板上的會(huì)凸點(diǎn)圖形。
　　 5、在不具備倒裝工藝的條件下,為了采用正裝的方式完成器件的測(cè)試,避免P電極塌陷造成P電極和N電極短路,給出