具有軟基底的陣列式碳納米管膜的制備和性能測(cè)試.pdf

1、碳納米管獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使得它在軸向上表現(xiàn)出十分優(yōu)異的性能，已有大量的研究表明陣列式排列的碳納米管膜有很廣泛的用途。但是碳納米管生長(zhǎng)時(shí)必須在耐高溫等剛性基底上沉積，嚴(yán)重限制了陣列式碳納米管的應(yīng)用范圍。 本文研究開發(fā)了具有軟基底的陣列式碳納米管薄膜以及無基底的陣列式碳納米管薄膜。對(duì)具有軟基底的以及無基底的陣列式碳納米管膜的制備及轉(zhuǎn)移碳納米管膜的技術(shù)進(jìn)行了研究，用掃描電鏡和透射電鏡分析了陣列式碳納米管的生長(zhǎng)特點(diǎn)、被分離碳納米管的形貌、黏結(jié)

2、層的特點(diǎn)，分析了聚合物填充、離子刻蝕等因素對(duì)形成無基底陣列式碳納米管膜的影響，并對(duì)轉(zhuǎn)移后的碳納米管的導(dǎo)電性能和吸附性能做了檢測(cè)。 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，采用壓敏膠可以把陣列式碳納米管從其生長(zhǎng)的石英基底上組裝到新的其他材料的基底上，并且經(jīng)轉(zhuǎn)移后的碳納米管仍然保持陣列式排列，采用這種方法能夠獲得具有軟基底的陣列式碳納米管膜。通過適當(dāng)控制聚乙烯醇的粘度值及離子刻蝕的工藝，可以得到無基底的陣列式碳納米管膜。轉(zhuǎn)移后，陣列式碳納米管膜的優(yōu)良的軸向性能可