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1、該文在系統(tǒng)綜述當(dāng)前太陽電池用氮化硅薄膜研究進展、前景和面臨的問題的基礎(chǔ)上,應(yīng)用PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng),以硅烷和氨氣為氣源制備了同時具有鈍化作用和減反射作用的氮化硅薄膜;摸索了氮化硅薄膜相對最佳生長參數(shù);研究了PECVD生長的氮化硅薄膜的基本物理化學(xué)性質(zhì)以及在沉積的過程中,襯底溫度、硅烷氨氣流量比和射頻功率對薄膜折射率和生長速率的影響;分別探明了氫等離子體和富氫氮化硅薄膜對太陽電池材料和器件性能的鈍化作用,并就沉積薄膜
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