DRIE工藝模型優(yōu)化及并行計算算法研究.pdf

1、深反應離子刻蝕(DRIE)可以通過“刻蝕-沉積”的交替進行得到側壁幾乎垂直的深溝槽，是微機電系統(tǒng)(MEMS)中最重要的加工工藝之一。DRIE的最終刻蝕結果受Lag效應、側壁扇形過切等多種因素的影響，往往難以根據(jù)經(jīng)驗和一般計算進行準確地預測，因此實現(xiàn)對該工藝的模擬對MEMS設計與制造有著重要意義。本文實現(xiàn)了對DRIE工藝快速、精確的三維模擬，在基于三維元胞自動機系統(tǒng)的工藝模型基礎上，采用粒子群智能優(yōu)化算法尋找使模擬數(shù)據(jù)最接近實驗數(shù)據(jù)的最優(yōu)

2、參數(shù)，并利用CUDA并行計算技術在GPU上進行DRIE模擬的并行算法研究。主要研究內容如下：
　　1.分析論文采用的工藝模型，建立DRIE工藝的三維元胞自動機系統(tǒng)，實現(xiàn)DRIE工藝過程的模擬。
　　2.建立優(yōu)化問題模型，確定優(yōu)化目標，選定優(yōu)化入口參數(shù)。測試分析了粒子群優(yōu)化算法參數(shù)影響，選定優(yōu)化算法參數(shù)，完成DRIE工藝模型的粒子群優(yōu)化算法設計。
　　3.根據(jù)粒子群算法的優(yōu)化結果發(fā)現(xiàn)DRIE工藝模型中存在的問題，并提出改