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文檔簡介
1、無氫類金剛石(Diamond-like Carbon,DLC)薄膜沉積過程中有較多高能粒子參與成膜。參與成膜的高能粒子會導(dǎo)致多層光學(xué)薄膜的界面狀態(tài)發(fā)生改變。研究薄膜界面層的變化規(guī)律及其與薄膜特性之間的關(guān)系,有利于進一步分析無氫DLC薄膜的光學(xué)損耗機理。
本文在DLC膜界面層參數(shù)檢測和分析方法的研究基礎(chǔ)上,通過實驗研究,分析討論了組合沉積DLC膜工藝參數(shù)對界面層的厚度、折射率、消光系數(shù)等參數(shù)的影響,探討了界面層參數(shù)變化規(guī)律,
2、探索了薄膜界面層參數(shù)變化對薄膜透過率的影響。
研究結(jié)果表明:
1)采用非平衡磁控濺射(Unbalanced Magnetron Sputtering,UBMS)技術(shù)沉積DLC膜時,靶電流對界面層厚度的影響占主導(dǎo)地位;當靶基距從102mm增至162mm時,薄膜界面層厚度由56.7 nm減至44.2nm;當靶電流在0.5A~0.9A之間、勵磁電流在40A~60A之間、真空度在0.5Pa~0.7Pa之間變化時,勵磁
3、電流對薄膜界面層的折射率、消光系數(shù)等參數(shù)的影響起主導(dǎo)作用。
2)采用UBMS和脈沖真空電弧沉積(PVAD)兩種方式組合沉積DLC薄膜時,兩種方法制備DLC膜問的界面層有如下特性:
在保持薄膜的整體光學(xué)厚度不變時,當PVAD技術(shù)沉積的DLC膜的厚度由74.8nm增至117.0nm,界面層的厚度由50.0nm增至62.0nm;界面層的折射率由2.426增至2.511;消光系數(shù)由0.0155減至0.0134;薄膜的
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