組合沉積DLC薄膜界面光學特性研究.pdf

1、無氫類金剛石(Diamond-like Carbon，DLC)薄膜沉積過程中有較多高能粒子參與成膜。參與成膜的高能粒子會導致多層光學薄膜的界面狀態(tài)發(fā)生改變。研究薄膜界面層的變化規(guī)律及其與薄膜特性之間的關系，有利于進一步分析無氫DLC薄膜的光學損耗機理。
　　 本文在DLC膜界面層參數(shù)檢測和分析方法的研究基礎上，通過實驗研究，分析討論了組合沉積DLC膜工藝參數(shù)對界面層的厚度、折射率、消光系數(shù)等參數(shù)的影響，探討了界面層參數(shù)變化規(guī)律，

2、探索了薄膜界面層參數(shù)變化對薄膜透過率的影響。
　　 研究結果表明：
　　 1)采用非平衡磁控濺射(Unbalanced Magnetron Sputtering，UBMS)技術沉積DLC膜時，靶電流對界面層厚度的影響占主導地位；當靶基距從102mm增至162mm時，薄膜界面層厚度由56.7 nm減至44.2nm；當靶電流在0.5A～0.9A之間、勵磁電流在40A～60A之間、真空度在0.5Pa～0.7Pa之間變化時，勵磁

3、電流對薄膜界面層的折射率、消光系數(shù)等參數(shù)的影響起主導作用。
　　 2)采用UBMS和脈沖真空電弧沉積(PVAD)兩種方式組合沉積DLC薄膜時，兩種方法制備DLC膜問的界面層有如下特性：
　　 在保持薄膜的整體光學厚度不變時，當PVAD技術沉積的DLC膜的厚度由74.8nm增至117.0nm，界面層的厚度由50.0nm增至62.0nm；界面層的折射率由2.426增至2.511；消光系數(shù)由0.0155減至0.0134；薄膜的