CuInSe2-TiO2-FTO復合薄膜中界面光生電荷傳輸性質(zhì)研究.pdf

1、新型納米結(jié)構(gòu)材料的太陽能電池，能夠降低太陽能電池的成本和提高能量轉(zhuǎn)換效率，已經(jīng)成為研究的熱點，特別是異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池。將TiO2與CuInSe2（CuInS2）進行復合，構(gòu)建了低成本、高轉(zhuǎn)換效率的PN異質(zhì)結(jié)薄膜太陽能電池器件。CuInSe2是多元化合物p型半導體，其光電轉(zhuǎn)化效率高達19.5％，光吸收系數(shù)達105數(shù)量級，利于太陽能電池基區(qū)光子吸收和少數(shù)載流子的收集。TiO2的氧化能力強，具有無毒，耐酸堿，一種寬禁帶n型間接半導體。Ti

2、O2與CuInSe2復合形成PN異質(zhì)結(jié)，能促進光生電子空穴對的分離，減小少數(shù)載流子的平均擴散長度從而降低復合幾率，增加了電荷的收集效率；并且可以降低對CuInSe2材料的純度要求。目前CIS/TiO2復合薄膜太陽能電池，最高的能量轉(zhuǎn)換效率達到7%，在全固態(tài)薄膜太陽能電池方面，有廣闊的應(yīng)用前景。
　　在TiO2/CIS復合薄膜太陽能電池中，通過改善TiO2薄膜中的電荷傳輸，光伏效率由0.2%提高到了2.8%；在TiO2與CIS之間增

3、加In2S3作為緩沖層，能量轉(zhuǎn)換效率得到進一步提高（7%）。由此可以看出界面性質(zhì)決定了器件性能，而深入研究和理解界面中光電荷分離、傳輸以及復合過程對于能量轉(zhuǎn)換效率的提高具有很重要的指導意義。
　　CIS/TiO2復合太陽能電池的研究大多是基于TiO2納米顆粒，而一維納米陣列結(jié)構(gòu)以其優(yōu)異的電荷傳輸性能已經(jīng)廣泛用于光電器件中。這里，我們以 FTO為基底，先以水熱法制備一維TiO2納米線陣列結(jié)構(gòu)，再利用一步電化學沉積法在TiO2納米線陣

4、列填充CIS納米顆粒，構(gòu)筑CIS/TiO2異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。為了研究界面性質(zhì)對電荷分離和傳輸?shù)挠绊?，我們進行了以下三方面的研究工作：
　?。?）采用旋涂法在FTO表面旋涂TiO2緊密層，在此基礎(chǔ)上，以刮涂法制備TiO2納米顆粒薄膜。利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FSEM)、穩(wěn)態(tài)表面光電壓（SPV）及其相位譜、交流阻抗譜（EIS），研究了TiO2緊密層對TiO2納米顆粒薄膜與FTO基底之間的界面中電荷傳輸過程的影響。實驗結(jié)果表明：TiO2緊密

5、層可以改善從TiO2薄膜到FTO表面的電荷的傳輸，減少復合。
　?。?）通過水熱法生長金紅石相和銳鈦礦相的 TiO2納米棒陣列，主要利用場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FSEM)、表面光電壓(SPV)及其相位譜、開爾文探針（Kelvin）等，對不同相的 TiO2納米線復合薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、形貌及光電性質(zhì)進行了表征和分析。并且研究了CIS/TiO2復合薄膜的界面能帶結(jié)構(gòu)，以及電荷傳輸過程。實驗結(jié)果表明：不同PH值的生長環(huán)境，可以影響復合薄膜基底