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文檔簡介
1、本文利用射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法,以CF<,4>和CH<,4>為反應(yīng)氣體,Ar或N<,2>為工作氣體,制備了在不同工藝參量下的a-C:F:H膜,并對(duì)薄膜進(jìn)行了退火處理;利用SEM、AFM、FTIR、XRD、Ellip、UV-VIS、Raman、XPS等測試、分析手段著重研究了射頻功率、沉積溫度、流量比和退火溫度對(duì)薄膜的組分、化學(xué)鍵結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)的影響.通過研究得出:a-C:F:H薄膜生長速率主要決定于沉積溫度和射頻功率,低溫和適當(dāng)
2、的功率有利于提高薄膜生長速率,氣體的流量比對(duì)薄膜的生長速率有一定的影響;薄膜的表面形貌主要取決于射頻功率、沉積溫度和退火溫度,低功率、低溫度沉積的薄膜表面均勻致密,光潔度好,退火之后,薄膜表面趨于平坦,但變得疏松;射頻功率、沉積溫度、氣體流量比和退火溫度均影響薄膜的組分和化學(xué)鍵結(jié)構(gòu),尤其受溫度的影響較為明顯;薄膜的光學(xué)帶隙決定于膜內(nèi)H、CF、CF<,2>、CF<,3>的含量,也可以說與薄膜內(nèi)的sp<'2>的含量有關(guān),薄膜的介電常數(shù)決定膜
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