基于高低壓CMOS兼容工藝Bsim3v3模型參數(shù)提取的研究.pdf

1、智能功率集成電路(SPIC)廣泛應(yīng)用于汽車電子、家用電器和工業(yè)控制等領(lǐng)域，SPIC的出現(xiàn)對于實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、智能化、提高系統(tǒng)可靠性、降低體積重量和成本有著重大意義。
　　本文涉及的課題就是一種新型 SPIC的設(shè)計。SPIC制作時需要將高壓器件和低壓電路集成在一起，因此隔離技術(shù)是SPIC工藝的核心技術(shù)之一。而依據(jù)陳星弼教授提出的一種優(yōu)化橫向摻雜專利技術(shù)，可設(shè)計出與普通CMOS兼容的新工藝，具有高性能、低成本、易推廣的優(yōu)點。本文基于

2、該 CMOS兼容工藝，對 SPIC中低壓電路的器件模型和模型參數(shù)進行研究。
　　本文首先介紹了電力電子技術(shù)與SPIC的發(fā)展歷程和當(dāng)前進展，并對制作工藝中的隔離技術(shù)對SPIC的重要性進行簡要解釋，之后討論了器件模型的發(fā)展，指出模型是IC設(shè)計與制造之間的橋梁，而模型參數(shù)則與制作工藝息息相關(guān)。
　　其次，本文介紹了本次課題實驗流片使用的新型CMOS兼容工藝，并對實驗流片中的低壓MOS器件進行了測試。在詳細討論了MOSFET器件的B