用透射電鏡分析硅中的缺陷.pdf

1、在對半導體材料的結構缺陷進行觀察時,透射電子顯微鏡有著其他觀察儀器不可比擬的優(yōu)越性,透射電子顯微鏡主要使用的像的技術有:質厚襯度像、衍射襯度像、位相襯度像,它們的適用范圍各不相同.其中,高分辨電子顯微像可以在實空間內直接觀測晶體局部的結構,因此而被廣泛的使用.該文利用透射電鏡作為工具,對硅中不同類型的缺陷結構以及工藝過程中的缺陷的轉化進行了觀測,并對我們觀察到的現(xiàn)象進行了解釋和說明.作為補充,該文還對透射電鏡圖像中常見的等厚等傾條紋做出

2、了解釋,并指出了它們對于解釋缺陷的結構有輔助作用.通過對硅中的位錯及層錯、Si-SiO2界面結構,以及硅中的沉積的結構形態(tài)的分析,我們發(fā)現(xiàn),缺陷的運動總是朝釋放應力和降低自身能量的方向進行的,工藝過程中缺陷形態(tài)的變化也符合這樣的規(guī)則,位錯的各種復合體在能量上要處于穩(wěn)定狀態(tài),他們的相互作用和結合有助于降低自身的能量.通過引入一定程度的缺陷,即硅片的吸雜技術,來與晶體內部的缺陷相互作用,使晶體內部缺陷移動到器件的非活性區(qū),達到減少器件活性區(qū)