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文檔簡介
1、該文以透射電鏡灰工具,觀察了幾種不同類型軟損傷硅片極其在工藝熱過程的轉(zhuǎn)化缺陷(位錯、層錯、亞晶界),對實驗中所觀察的現(xiàn)象進(jìn)行了一定的解釋.利用當(dāng)前較新的位錯與雜質(zhì)相互作用理論,進(jìn)一步分析了在特定的原始損傷情況下不同類型缺陷的形成過程及其在吸雜工藝中的作用機(jī)理.在以上工作的基礎(chǔ)上,對不同類型硅片所采取的吸雜工藝處理的個性和共性進(jìn)行了初步的探討.在對半導(dǎo)體材料的損傷和缺陷的觀測中,透射電鏡有著其他觀察儀器不可比擬的優(yōu)越性.其中成以衍射襯度象
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