低維磁性納米材料的制備與性能研究.pdf

1、近年來，包括磁性納米線及磁性納米薄膜在內(nèi)的低維磁性納米材料因?yàn)樵诖庞涗涱I(lǐng)域潛在的應(yīng)用價(jià)值而吸引了眾多的關(guān)注。本文采用陽極氧化法制備了小孔徑的AAO模板，采用方波脈沖電沉積制備了FeCo、FeNi和CoCu合金納米線陣列，利用SEM、TEM、XRD對(duì)其形貌和晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，并采用振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)研究了電沉積液中CoCu的比例及電源頻率對(duì)納米線陣列磁性的影響；采用溶膠-凝膠法和機(jī)械甩膜法在ITO導(dǎo)電玻璃上制備了KIT-6介孔膜，通過小角X

2、RD和N2等溫吸附-脫附對(duì)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，并采用TEM對(duì)介孔膜的形貌進(jìn)行了表征。在KIT-6介孔膜中電沉積制備了Co、Fe、FeCo、CoCu磁性薄膜，利用SEM、XRD、振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)對(duì)其形貌、晶體結(jié)構(gòu)和磁性能進(jìn)行了研究，并研究了熱處理對(duì)Fe、Co單質(zhì)薄膜磁性能的影響。
　　 AAO模板的孔道經(jīng)擴(kuò)孔后孔徑約為15 nm，其孔道平行排列且垂直于膜面。脈沖電沉積成功制備出了尺寸約為15nm的FeCo、FeNi和CoCu多晶納米線，

3、納米線陣列均具有明顯的磁各向異性，其易磁化方向垂直于膜面，均具有較高的矯頑力和剩磁比，其最高矯頑力分別為2509.8Oe, 1839.6Oe和1977.5Oe。另外，CoCu納米線陣列的磁性能隨電沉積液中CoCu比例的增大而增大，主要是由于納米線中Co的沉積量逐漸增加，其磁性能隨電源頻率的增大而減小并逐漸趨于平穩(wěn)，這是Co沉積量和磁交換耦合作用共同作用的結(jié)果。KIT-6薄膜為無序介孔結(jié)構(gòu)，孔徑約為5 nm；磁性能測(cè)試表明薄膜均表現(xiàn)出良好