黑硅電池片上液相沉積法制備SiO2薄膜的研究.pdf

1、黑硅因其獨(dú)特的納米結(jié)構(gòu)，具有很寬的光譜吸收范圍，極低的反射率，以及一些其他優(yōu)良的特性，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)就獲得了科學(xué)家們的廣泛關(guān)注，在硅太陽能電池領(lǐng)域有著很大的應(yīng)用潛力。但黑硅由于表面積的增大以及制備過程中引入的缺陷，具有較高的表面復(fù)合速率和較低的少數(shù)載流子壽命，因此，為了提高黑硅的性能，需要對(duì)其表面進(jìn)行有效的鈍化處理。采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法沉積SiNx薄膜對(duì)常規(guī)電池表面具有不錯(cuò)的鈍化效果，但是一方面該方法沉積的SiNx薄

2、膜與黑硅表面的納米結(jié)構(gòu)之間的適形性并不太好，一些較深的坑洞中沉積的薄膜不均勻，不能與洞底部的硅緊密接觸；另一方面，該設(shè)備投資大，生產(chǎn)成本較高，因而有必要探索更好的鈍化方法。
　　液相沉積(LPD)法，作為一種從濕法化學(xué)中發(fā)展起來的制備氧化物薄膜的方法，具有工藝簡(jiǎn)單、成本低、產(chǎn)量高等優(yōu)點(diǎn)，適合商業(yè)生產(chǎn)，更為重要的是SiO2薄膜對(duì)Si電池也具有極好的鈍化效果，但是，研究液相沉積法制備的SiO2薄膜對(duì)黑硅的鈍化效果的工作尚不太多和深入。

3、
　　首先，本文對(duì)液相沉積法制備SiO2薄膜的工藝進(jìn)行了研究，主要研究了硼酸濃度、氟硅酸濃度、沉積溫度和沉積時(shí)間對(duì)SiO2薄膜生長(zhǎng)的影響，通過掃描電子顯微鏡(SEM)，傅里葉變換紅外(FTIR)光譜儀等儀器對(duì)薄膜進(jìn)行了測(cè)試和表征。表征結(jié)果顯示，這些參數(shù)對(duì)SiO2薄膜的生長(zhǎng)速率和表面形貌都有較大的影響。
　　其次，本文對(duì)液相沉積法制備的SiO2薄膜的鈍化性能進(jìn)行了研究，在電池產(chǎn)線上對(duì)黑硅片進(jìn)行LPD法鍍膜，并制作成黑硅電池片。