單勢(shì)壘量子阱電容電抗器的力學(xué)特性分析.pdf

1、近年來(lái)，隨著分子束外延技術(shù)（MBE）和納機(jī)電系統(tǒng)加工技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，各種新型的超晶格量子阱器件被加工出來(lái)。由于尺寸變小而產(chǎn)生包含量子效應(yīng)的各種效應(yīng)就會(huì)凸顯出來(lái)，基于這些效應(yīng)的納機(jī)電器件就會(huì)體現(xiàn)出新的特征和性能。本文在介觀壓阻效應(yīng)的基礎(chǔ)上，介紹了一種新的傳感器，即單勢(shì)壘量子阱電容電抗器，并通過(guò)對(duì)此單勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)加一定的應(yīng)力，來(lái)改變材料的能帶、參數(shù)和物理特性，最終達(dá)到提高電容電抗器的靈敏度和電容調(diào)制比的目的，高的電容調(diào)制比意味著高的器件

2、工作頻率。
　　本文詳細(xì)介紹了當(dāng)一束電子波從發(fā)射極發(fā)射到集電極時(shí)電子波的傳輸過(guò)程，其中，發(fā)射極和集電極之間是由InGaAs/AlAs/InAlAs材料組成的單勢(shì)壘量子阱結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上推導(dǎo)出了反射系數(shù)和透射系數(shù)，并由此推出了傳導(dǎo)電流的公式，介紹了傳導(dǎo)電流減小的方法。在介觀壓阻效應(yīng)的基礎(chǔ)上，利用Matlab軟件，模擬了電容電抗器的電容的變化，最終使電容電抗器的調(diào)制比得到了提高。
　　主要研究?jī)?nèi)容如下：
　?。?）對(duì)超晶格

3、量子阱材料進(jìn)行了分析，并在此基礎(chǔ)上，介紹了Ⅲ-Ⅴ族元素，選擇合適的勢(shì)壘材料，并列出了勢(shì)壘結(jié)構(gòu)。
　?。?）結(jié)合本論文的要點(diǎn)對(duì)單勢(shì)壘量子阱電容電抗二極管的電子波的傳輸和能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了描述；
　?。?）介紹了單勢(shì)壘量子阱電容電抗器中傳導(dǎo)電流減小的方法。
　?。?）通過(guò)對(duì)單勢(shì)壘結(jié)構(gòu)在大偏壓和小偏壓下兩種情況的分析，推導(dǎo)出在大偏壓下和小偏壓下的電容的表達(dá)式。較為詳細(xì)的介紹了單勢(shì)壘結(jié)構(gòu)加一定應(yīng)變時(shí)電容的變化情況，推導(dǎo)出了電容電抗