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1、該論文對(duì)ECR_PAMOCVD外延生長(zhǎng)C_GaN膜過(guò)程中各個(gè)階段等離子體的電子溫度、電子能量分布、空間電位、電子(離子(密度以及粒子種類(lèi)等微參數(shù)進(jìn)行了研究,并進(jìn)一步探討了對(duì)襯底預(yù)處理的影響. 實(shí)驗(yàn)證明襯底的預(yù)處理對(duì)立方GaN外延生長(zhǎng)的速度和質(zhì)量是置關(guān)重要的.因此,了解等離子體預(yù)處理(清洗、氮化)過(guò)程中氫、氮等離子體的微參數(shù)對(duì)改進(jìn)實(shí)驗(yàn)是有必要的.該論文組建了一套靜電探針數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),并設(shè)計(jì)了配套的數(shù)據(jù)采集與處理軟件. 通過(guò)此系統(tǒng)對(duì)ECR_
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