納米兩相復(fù)合永磁材料的微磁學(xué)研究.pdf

1、兩相納米復(fù)合永磁材料因結(jié)合了硬磁相高矯頑力和軟磁相高剩的磁優(yōu)點,受到實驗和理論研究方面的重視。信息社會的發(fā)展使得提高材料的磁密度成為了一種需求,而垂直磁記錄技術(shù)的發(fā)展正是提高磁記錄密度的重要途徑。本文應(yīng)用微磁學(xué)方法,采用高密度垂直磁記錄材料,對垂直取向復(fù)合磁性多層膜系統(tǒng)的矯頑力機制及磁化反轉(zhuǎn)過程進行系統(tǒng)的研究。主要研究如下:
　　 1.以垂直取向Nd2Fe14B/a-Fe磁性多層膜為例,研究硬磁相厚度對成核場、矯頑力機制及系統(tǒng)的

2、磁化反轉(zhuǎn)過程的影響。通過解析的成核場公式發(fā)現(xiàn),硬磁相厚度小于其布洛赫壁寬度時,硬磁相厚度對成核場的影響較為明顯;且當(dāng)軟磁相厚度較大時,成核場出現(xiàn)負值。比較硬磁相厚度較大或較小時,發(fā)現(xiàn)硬磁相厚度對系統(tǒng)磁化反轉(zhuǎn)過程的影響是相似的,矯頑力機制隨軟磁相厚度減小而從成核過渡到釘扎。但當(dāng)硬磁相厚度較小且軟磁相厚度較大時,軟磁相內(nèi)部的磁矩偏轉(zhuǎn)遵循一致轉(zhuǎn)動模型,使得磁滯回線趨于線性化。
　　 2.以具有高矯頑力的高密度磁記錄材料FePt/a-F

3、e垂直取向納米磁性多層膜為例,研究界面交換耦合作用對磁性多層膜系統(tǒng)的磁化反轉(zhuǎn)過程的影響。成核場隨界面交換耦合常數(shù)的增大而增大;尤其當(dāng)軟磁相厚度較小時,其對成核場的影響相當(dāng)顯著,而當(dāng)軟磁相厚度較大時,影響則可忽略。但對釘扎場,它則隨界面交換耦合常數(shù)的增大而減小。當(dāng)兩相界面處的交換耦合作用弱時,界面處的磁矩角度出現(xiàn)跳變。隨軟磁相厚度的增大,矯頑力機制從成核變?yōu)獒斣?但當(dāng)界面交換耦合作用較弱時,疇壁中心最終釘扎在兩相界面處而沒進入硬磁相內(nèi)部。