版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、華中科技大學碩士學位論文全光開關(guān)有源光子帶隙Bragg多量子阱的制備姓名:胡志強申請學位級別:碩士專業(yè):光電信息工程指導(dǎo)教師:王濤20110104II華中科中科技大學碩士學位論大學碩士學位論文AbstractOpticalswitchesarethecedeviceoflightexchanginginallopticalcommunicationwk.Traditionalopticalswitchesarelimitedtheirr
2、esponsetimeduetovariousofinevitablefactswhileallopticalswitchesaregainedmeattentionstudybytheresearchersftheirgoodopticalperfmancefasterswitchingspeed.Theauthresearchesonthetheyofsemiconductmultiplequantumwellsultrafasta
3、llopticalswitchesbasedonInGaAsPInPactivephotonicbgapBraggstructureinthisarticle.ToavoidthecumulativeeffectofcarrierstheallopticalswitchesusenonlinearmechanismofopticalStarkeffectarebynearresonantexcitationmode.Onedimensi
4、onalphotoniccrystalstructureofthephotonicbgapcanfminthephotonicbwhenthequantumwellperiodmeetsthemodifiedBraggconditionBraggfrequencyisequaltotheheavyholeexcitonresonancefrequency.Whenthenarrowlinewidthpumpisalsointhebgap
5、opticalswitcheshavelargenonlinearpsmagnitudeoftherecoverytimetherefeitcanfmTHzlevelallopticalswitches.TheresearcherdoesLPMOCVD(LowpressureMetalganicChemicalVapDeposition)technologygrowthanalyzesthecrystallinequalityofepi
6、taxialfilmsthroughphotoluminescencespectratestdoublecrystalXraydiffractiontest.TheeffectsofgrowthtemperaturepressureⅤⅢratioⅤⅤratioⅢⅢratiointerruptinggrowthtechnologytocrystallinequalityofepitaxialfilmsareanalyzedinthisre
7、search.TheauthmastersavarietyofconditionsparametersinthegrowthprocessofInGaAsPInPInAsPInPquantumwellMOCVDbyalotofexperiments.AlsotheauthestablishestherelationshipbetweenInGaAsPInPquantumwellstructuresexcitonwavelengthbra
8、ggreflectwavelengthtemperatureaccdingtoexperimentaldata.Whatsmetheauthrevisesrelevanttheeticalparametersregardingtoexperiments.Indertouseinopticalcommunicationbwecanchangethewavelengthofallopticalswitchesduetothecomponen
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有源光子帶隙中量子點材料特性及全光開關(guān)的研究.pdf
- 多量子點缺陷層光子晶體全光開關(guān)研究.pdf
- 量子點有源光子晶體全光開關(guān)的特性研究.pdf
- 用于電子自旋光開關(guān)的多量子阱材料研究.pdf
- 多量子阱的瞬態(tài)光學非線性及其在全光開關(guān)中的應(yīng)用.pdf
- 光子晶體激光器設(shè)計和有源層多量子阱的光學性質(zhì)研究.pdf
- 多量子阱多模干涉型光子器件研究.pdf
- 有源光子帶隙布拉格結(jié)構(gòu)慢光的研究.pdf
- 基于InGaAs-InP多量子阱中光學斯塔克效應(yīng)的超快全光開關(guān)的研究.pdf
- ZnO-ZnMgO多量子阱的制備及表征.pdf
- 一維光子晶體的帶隙控光特性與Bragg光纖光傳輸特性的研究.pdf
- AlInGaN多量子阱發(fā)光材料的制備與光電性能研究.pdf
- 摻雜多量子阱的光學性質(zhì)研究.pdf
- 基于光子帶隙結(jié)構(gòu)的光延遲器.pdf
- 面向多量子比特的表面電極離子阱芯片.pdf
- InGaN-GaN多量子阱光學特性研究.pdf
- 可見光波段一維光子晶體多量子阱結(jié)構(gòu)光學特性的研究.pdf
- InGaN-GaN多量子阱發(fā)光特性的研究.pdf
- 離子注入誘導(dǎo)無序及無雜質(zhì)空位擴散方法改變InGaAsP-InP多量子阱材料帶隙的研究.pdf
- 可調(diào)帶隙光子晶體-液晶光功能材料的制備及調(diào)控機理研究.pdf
評論
0/150
提交評論