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文檔簡介
1、本文通過理論分析，模擬設(shè)計了高應(yīng)變InGaAs多量子阱激光器，并著重討論了應(yīng)變對InxGa1-xAs/GaAs多量子阱激光器的影響。激光器的輸出波長為1.06μm，閾值電流為194.8mA。在結(jié)構(gòu)上，采用雙模式擴展層多量子阱結(jié)構(gòu)，遠場垂直發(fā)散角降低到13°。對高應(yīng)變InGaAs多量子阱激光器的閾值電流、限制因子和遠場垂直發(fā)散角進行了深入研究，并且發(fā)現(xiàn)其具有較低的內(nèi)損耗和較高的特征溫度。對所設(shè)計的激光器的有源區(qū)進行外延生長，通過對比實驗和
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