硒化鎘（CdSe）單晶體生長(zhǎng)原料的提純及其標(biāo)準(zhǔn)極圖的計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn).pdf

1、CdSe作為一種有前途的制作室溫核輻射探測(cè)器的半導(dǎo)體材料，本研究室在充分調(diào)研的基礎(chǔ)上，對(duì)CdSe單晶體的生長(zhǎng)及CdSe探測(cè)器的制備進(jìn)行了深入的研究?！　dSe是一種熔點(diǎn)較高，易揮發(fā)的物質(zhì)，用傳統(tǒng)的熔體法生長(zhǎng)單晶難度較大，實(shí)驗(yàn)證明，用氣相法生長(zhǎng)CdSe單晶是一種簡(jiǎn)單而有效的方法。但這種方法對(duì)原料的純度提出了很高的要求。在生長(zhǎng)單晶和制作探測(cè)器之前，必須對(duì)原料提純，并且通過(guò)特定檢測(cè)手段對(duì)提純前原料和提純后原料中的雜質(zhì)含量進(jìn)行分析，從而全面

2、掌握提純的效果，為后續(xù)工作提供雜質(zhì)的數(shù)據(jù)依據(jù)?！　⊥ㄟ^(guò)設(shè)計(jì)合理的提純工藝，成功得到了適合生長(zhǎng)CdSe單晶的原料，并通過(guò)改善提純方法，提高了原料的回收率，降低了生產(chǎn)成本。等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)對(duì)原料中的微量雜質(zhì)進(jìn)行分析的結(jié)果表明采用這種方法所獲得的原料純度高，適用于生長(zhǎng)大尺寸優(yōu)質(zhì)硒化鎘單晶?！　「哔|(zhì)量單晶的生長(zhǎng)成功是制作合格探測(cè)器的關(guān)鍵一步，但是，從單晶體到探測(cè)器，中間還要經(jīng)過(guò)多步加工，對(duì)單晶體的切割就是其中重要的一步，而這一

3、步的完成需要得到晶體標(biāo)準(zhǔn)極射赤道平面圖的指導(dǎo)。對(duì)于不同的晶體，都有屬于自己的一套標(biāo)準(zhǔn)極圖，CdSe晶體也不例外，但是并無(wú)現(xiàn)成的CdSe晶體標(biāo)準(zhǔn)極圖可供參考，需要專(zhuān)門(mén)繪制。繪制標(biāo)準(zhǔn)極圖的過(guò)程傳統(tǒng)上是由手工完成的，耗時(shí)費(fèi)力，并且針對(duì)每一種新的晶體都要重新繪制，非常繁瑣。為了能夠快速準(zhǔn)確地獲得CdSe晶體不同晶面的標(biāo)準(zhǔn)極圖，本文結(jié)合計(jì)算機(jī)技術(shù)，成功通過(guò)編程繪制出了所需的極圖，并可方便地推廣到其它一些晶體的應(yīng)用上，解決了晶體標(biāo)準(zhǔn)極圖繪制的問(wèn)題。