硅納米晶體的合成及其在太陽(yáng)電池中的應(yīng)用.pdf

1、硅納米晶體由于量子限域效應(yīng)和多激子效應(yīng)等特性吸引了研究者的廣泛興趣。將硅納米晶體應(yīng)用于太陽(yáng)電池已經(jīng)成為當(dāng)今研究的熱點(diǎn),這其中包括兩種方案,一種是利用硅納米晶體制作新結(jié)構(gòu)太陽(yáng)電池(硅量子點(diǎn)太陽(yáng)電池),另一種是將硅納米晶體與傳統(tǒng)硅太陽(yáng)電池結(jié)合以提高其效率。本文的工作屬于后者。
　　 我們自主設(shè)計(jì)、組裝和調(diào)試了一套冷等離子體硅納米晶體合成系統(tǒng)。利用該系統(tǒng)成功合成了硅納米晶體,并通過(guò)調(diào)節(jié)硅納米晶體的尺寸,實(shí)現(xiàn)其光致發(fā)光的峰位可調(diào)。

2、>　　 將約3nm的硅納米晶體分散于異丙醇中配成1mg/mL的硅墨水。通過(guò)旋涂的方法實(shí)現(xiàn)了硅納米晶體薄膜在酸織構(gòu)單晶硅太陽(yáng)電池片上的有效沉積。太陽(yáng)電池效率的提高值(相對(duì)百分比)可達(dá)3.7％。在空氣中暴露11天后,太陽(yáng)電池效率的提高值(相對(duì)百分比)下降至1.4％,并趨于穩(wěn)定。
　　 通過(guò)建立精確的光學(xué)模型,研究在太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)中,硅納米晶體薄膜的孔隙率(ρ)和厚度(t)對(duì)300-1100nm范圍內(nèi)光的透過(guò)率及下轉(zhuǎn)換的影響。該模型的