2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、磷酸二氫鉀(KH2PO4,KDP)晶體是20世紀(jì)30年代發(fā)展起來(lái)的一種優(yōu)良的電光非線性光學(xué)材料,廣泛應(yīng)用于激光變頻、電光調(diào)制和光快速開(kāi)關(guān)等高技術(shù)領(lǐng)域。另外,KDP晶體具有較大的電光非線性系數(shù)、較高的激光損傷閾值并且能夠生長(zhǎng)到較大的尺寸,所以,大截面KDP晶體是目前唯一可應(yīng)用于慣性約束核聚變(inertial confinement fusion,ICF)中的非線性光學(xué)材料。
   由于慣性約束核聚變的發(fā)展對(duì)KDP晶體質(zhì)量、尺寸、

2、數(shù)量上的新要求,近年來(lái)關(guān)于其研究的熱點(diǎn)在于:如何提高晶體的質(zhì)量以及在保證晶體質(zhì)量的前提下盡可能提高其生長(zhǎng)速度,縮短生長(zhǎng)周期。而為了能夠快速生長(zhǎng)高質(zhì)量的KDP晶體,就必須深入了解其生長(zhǎng)過(guò)程中的微觀機(jī)理,觀察其生長(zhǎng)過(guò)程中晶體表面所發(fā)生的微觀現(xiàn)象,并用以指導(dǎo)晶體的生長(zhǎng),從而生長(zhǎng)出更好的晶體。原子力顯微鏡(atomicforce microscope,AFM)正是這樣一種使人們得以在微觀領(lǐng)域從事研究工作的有力工具。另外,調(diào)節(jié)KDP溶液的pH值可

3、以改變?nèi)芤旱男再|(zhì),進(jìn)而改變KDP晶體的生長(zhǎng)習(xí)性。但是,關(guān)于pH值具體如何影響KDP晶體的生長(zhǎng)還存在很多爭(zhēng)議,未形成統(tǒng)一結(jié)論。因此,pH值作為影響KDP晶體生長(zhǎng)的一個(gè)重要參數(shù),對(duì)其產(chǎn)生的作用還需做深入研究。
   本文利用熱科學(xué)的基礎(chǔ)理論,通過(guò)開(kāi)展不同pH值下KDP晶體的生長(zhǎng)、成核及AFM的觀察等實(shí)驗(yàn)研究,對(duì)不同pH值下,KDP晶體生長(zhǎng)溶液的穩(wěn)定性、晶體的生長(zhǎng)狀況、微觀形貌、生長(zhǎng)機(jī)制等方面進(jìn)行了深入探討,主要內(nèi)容為:
  

4、 ①開(kāi)展了KDP晶體的溶解度和溶液亞穩(wěn)區(qū)寬度的測(cè)定實(shí)驗(yàn),測(cè)出了不同pH值下KDP晶體的溶解度曲線和亞穩(wěn)區(qū)的寬度。發(fā)現(xiàn)隨著生長(zhǎng)溶液pH值的升高或降低,KDP晶體的溶解度都會(huì)明顯增大,同時(shí)溶液的亞穩(wěn)區(qū)寬度變大、溶液穩(wěn)定性提高。另外,通過(guò)宏觀研究不同pH值下進(jìn)行的KDP晶體的降溫法生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn),發(fā)現(xiàn)在pH值略高于KDP溶液正常pH值的情況下,晶體生長(zhǎng)更快,質(zhì)量更高。適合KDP晶體生長(zhǎng)的溶液pH值區(qū)間為pH=4.5~5.0。
   ②研究了

5、不同pH值下、不同溫度和過(guò)飽和度的KDP溶液的成核過(guò)程,測(cè)定了不同情況下溶液的誘導(dǎo)期。發(fā)現(xiàn)當(dāng)KDP溶液的過(guò)飽和比S>1.3時(shí),均勻成核起主導(dǎo)作用;當(dāng)S<1.2時(shí),非均勻成核起主導(dǎo)作用。另外,根據(jù)經(jīng)典均勻成核理論,針對(duì)KDP晶體過(guò)飽和溶液均勻成核的情況計(jì)算出了不同pH值、不同溫度下的固-液界面張力等熱力學(xué)參數(shù)。通過(guò)對(duì)表面熵因子的計(jì)算,確定了該實(shí)驗(yàn)中KDP晶體的微觀生長(zhǎng)機(jī)制為連續(xù)生長(zhǎng)模式。
   ③通過(guò)對(duì)40℃、不同pH值和不同過(guò)飽

6、和度下KDP晶體(100)面生長(zhǎng)的非實(shí)時(shí)AFM研究,發(fā)現(xiàn)在低過(guò)飽和度下,(100)面臺(tái)階化明顯,臺(tái)階形貌差異較大;高過(guò)飽和度下,KDP晶體生長(zhǎng)以二維成核機(jī)制為主。對(duì)于pH=4.2和pH=2.5,在過(guò)飽和度較低時(shí),位錯(cuò)生長(zhǎng)機(jī)制控制晶體的生長(zhǎng);當(dāng)σ≥0.05時(shí),二維成核機(jī)制起主導(dǎo)作用。而pH=5.0時(shí),在低過(guò)飽和度時(shí)同樣是由位錯(cuò)機(jī)制控制生長(zhǎng),但當(dāng)σ≥0.03時(shí),晶體生長(zhǎng)即以二維成核機(jī)制為主。通過(guò)實(shí)時(shí)AFM的研究,發(fā)現(xiàn)隨著過(guò)飽和度的降低,臺(tái)階

7、的密度也隨之減小,寬度變大。另外,通過(guò)原位實(shí)時(shí)觀察,發(fā)現(xiàn)了一種各向異性生長(zhǎng)的臺(tái)階推移現(xiàn)象。
   ④運(yùn)用實(shí)時(shí)AFM,對(duì)25℃時(shí)、不同pH值、低過(guò)飽和度下KDP晶體(100)面的臺(tái)階動(dòng)力學(xué)規(guī)律進(jìn)行了研究,測(cè)算了當(dāng)過(guò)飽和度0.01≤σ≤0.025時(shí),KDP晶體(100)面的水平推移速度和法向生長(zhǎng)速度,發(fā)現(xiàn)pH=5.0時(shí)生長(zhǎng)速度最快,這與之前進(jìn)行的降溫法下KDP晶體生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果一致;通過(guò)分析,發(fā)現(xiàn)晶面生長(zhǎng)主要受螺旋位錯(cuò)機(jī)制控制。通過(guò)

8、計(jì)算不同pH值下的臺(tái)階棱邊能,發(fā)現(xiàn)改變pH值后,同一過(guò)飽和度下的臺(tái)階棱邊能變小,晶體表面臺(tái)階的生長(zhǎng)變得容易。
   ⑤運(yùn)用實(shí)時(shí)AFM觀察了不同pH值下KDP晶體生長(zhǎng)時(shí),(100)面動(dòng)態(tài)微觀形貌的變化;計(jì)算了臺(tái)階的實(shí)際推移速度,并由此得出了不同pH值下動(dòng)力學(xué)系數(shù)的實(shí)驗(yàn)值。通過(guò)對(duì)比動(dòng)力學(xué)系數(shù)的實(shí)驗(yàn)值與理論值,發(fā)現(xiàn)KDP晶體(100)面在不同pH值下、生長(zhǎng)溫度為25℃、過(guò)飽和度為0.01~0.025范圍內(nèi)的生長(zhǎng)過(guò)程中,溶質(zhì)邊界層內(nèi)的質(zhì)

9、量輸運(yùn)主要受體擴(kuò)散機(jī)制控制。改變pH值后,晶體生長(zhǎng)的動(dòng)力學(xué)系數(shù)變大,生長(zhǎng)基元的擴(kuò)散速度也就更快,從而導(dǎo)致晶體的生長(zhǎng)速度加快。
   ⑥通過(guò)對(duì)25℃時(shí),正常pH值、高過(guò)飽和度下KDP晶體(100)面生長(zhǎng)的實(shí)時(shí)AFM研究,掃描得到了不同生長(zhǎng)條件下各種二維核的AFM圖像。發(fā)現(xiàn)在高過(guò)飽和度時(shí),KDP晶體的生長(zhǎng)由多二維核生長(zhǎng)機(jī)制所控制,隨著過(guò)飽和度的降低,二維核的生長(zhǎng)速度變慢,并呈現(xiàn)出典型的各向異性;二維核之間的融合并不會(huì)導(dǎo)致缺陷的產(chǎn)生;

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