激光制備鈮摻雜二氧化鈦基透明導電薄膜.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩66頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、透明導電氧化物(TCO)薄膜由于其優(yōu)良的可見光透過性和導電性在平板顯示器件、觸摸面板、太陽能光伏電池、反射熱鏡、氣體敏感器件和透明PN 結等領域有著廣闊的應用前景。本學位論文采用脈沖激光沉積技術(PLD)制備鈮摻雜二氧化鈦(TNO)透明導電薄膜,并對薄膜的結構、光學性能以及電學性能進行了詳細的研究。
   結果表明所制備的TNO 薄膜具有良好的可見光透過率以及低的電阻率,滿足透明導電薄膜的基本要求。論文的主要內容和結論如下:

2、r>   (1)采用PLD 技術在熔融石英襯底上制備了摻雜的銳鈦礦TiO2 薄膜。通過X 射線衍射儀(XRD)、X 射線熒光(XRF)、原子力顯微鏡(AFM)、場發(fā)射掃描電鏡(FSEM)對TNO 薄膜的結構、組分、表面形貌進行了測試與表征。研究表明,當激光能量密度為3J/cm2、重復頻率為4Hz、沉積溫度為600℃、氧壓為0.8Pa 時,薄膜為(101)擇優(yōu)取向的銳鈦礦多晶膜,薄膜厚度約為190nm。
   (2)采用紫外可見

3、光光度計研究了TNO 薄膜在可見光波段的平均透過率,結果表明所制備的薄膜可見光透過率都超過70%,薄膜的紫外吸收邊隨氧壓的增大發(fā)生了藍移。
   (3)采用四探針平臺和霍爾測試儀對TNO 薄膜的電性能進行了研究。結果表明真空退火使TNO 薄膜的電阻率大大降低,當激光能量密度為3J/cm2,重復頻率4Hz,氧壓0.5Pa,退火溫度為400℃時,薄膜的電學性能最佳,此時電阻率ρ為1.1×10-3Ωcm,載流子濃度n 為5.59×10

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論