半導(dǎo)體自組織量子點(diǎn)彈性應(yīng)變場(chǎng)和能級(jí)結(jié)構(gòu)的理論研究.pdf

1、本論文主要成果有：　　1.分析了外延生長的三種模式的不同適用條件，指出量子點(diǎn)的生長采用S-K模式，闡述了S-K模式的機(jī)理，從熱平衡理論出發(fā)討論了量子點(diǎn)生長過程化學(xué)勢(shì)的作用和能量變化的規(guī)律性；從理論上分析了量子點(diǎn)超晶格生長的垂直相關(guān)性問題，指出在有掩埋島的情況下量子點(diǎn)的生長將遵循一定的規(guī)律，導(dǎo)出了有掩埋島時(shí)量子點(diǎn)成核的不均勻概率分布表達(dá)式；從兩方面分析了影響量子點(diǎn)生長各種因素，并提出了實(shí)現(xiàn)量子點(diǎn)有序生長的途徑。2.將彈性力學(xué)中應(yīng)力與應(yīng)變

2、的概念移植于半導(dǎo)體量子點(diǎn)中，用有限元法計(jì)算了自組裝量子點(diǎn)的應(yīng)變場(chǎng)分布，得到了各向同性圓錐形量子點(diǎn)的應(yīng)變場(chǎng)分布，各向同性2×2的量子點(diǎn)陣列應(yīng)變場(chǎng)分布、各向異性三維量子點(diǎn)的應(yīng)變場(chǎng)分布和三維各向同性量子點(diǎn)蓋層中應(yīng)變感應(yīng)能分布；比較了不同形狀相同高寬比和相同形狀不同高寬比量子點(diǎn)應(yīng)變場(chǎng)分布；提出了在量子點(diǎn)對(duì)稱軸間的距離下其線度可比擬時(shí)，各量子點(diǎn)內(nèi)的彈性應(yīng)變場(chǎng)互不影響；用數(shù)值解證明了量子點(diǎn)生長的應(yīng)變驅(qū)動(dòng)原理和量子點(diǎn)超晶格生長的垂直相關(guān)性；給出了在非