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文檔簡介
1、本文以典型結構的磷光器件ITO/NPB/CBP:Ir(ppy)3/Balq/Alq3/LiF/Al為研究對象,開展界面改性研究,在NPB/CBP:Ir(ppy)3界面、CBP:Ir(PPY)3/Balq界面以及Alq3/LiF界面處構筑方波型界面結構,研究了凸起厚度,凸起數目對器件的光電性能的影響。
研究了Alq3/LiF處方波型界面對器件光電性能的影響。在Alq3/LiF處構筑方波型界面。實驗制作了凸起厚度為5nm、10
2、nm、15nm、20nm的器件,分別研究了凸起厚度、凸起數目對器件性能的影響。實驗發(fā)現:
在此界面處的方波型界面結構,可以改變電子的注入和傳輸,進而影響發(fā)光層界面電子空穴對分布。最終得出:在凸起厚度為15nm凸起數目為3時的器件D15-3電流效率最高為28cd/A,與傳統(tǒng)結構器件D相比提高了43%。
研究了CBP:Ir(ppy)3/BAIq、Balq/Alq3、Alq3/LiF處方波型界面對器件光電性能的影響
3、。在CBP:Ir(ppy)3/Balq、Balq/Alq3、Alq3/LiF三處構筑方波型界面。實驗制作了凸起厚度分別為2nm、4nm、6nm、8nm的器件,分別研究了凸起厚度、凸起數目對器件性能的影響。實驗發(fā)現:
CBP:Ir(ppy)3/Balq、Balq/Alq3、Alq/LiF處方波型界面結構既改變了發(fā)光層CBP:Ir(ppy)3的厚度,也改變了電子傳輸層Alq3的界面結構,進一步提高了電子注入效率,與注入到發(fā)光層
4、界面的空穴結合增強。再者,發(fā)光層界面的增多,也是提高電流效率的主要原因。當凸起厚度為4nm、凸起數目為3時的器件D4.3的電流效率最高為27.8 cd/A,與傳統(tǒng)結構器件D相比提高了42%。
研究了NPB/CBP:Ir(PPY)3、CBP:Ir(ppy)3/Balq、Balq/Alq3、Alq3/LiF處方波型界面對器件性能的影響。在NPB/CBP:Ir(PPY)3、CBP:Ir(ppy)3/Balq:Balq/AIq3、
5、Alq3/LiF四處構筑方波型界面。實驗制作了凸起厚度分別為5nm、10nm、15nm、20nm的器件,分別研究了凸起厚度、凸起數目對器件性能的影響。實驗發(fā)現:此時方波型界面結構相當于把整個器件分割成NPB厚度不同的幾個并聯(lián)器件,這種并聯(lián)結構器件的電流密度低于NPB厚度為30nm的傳統(tǒng)結構的器件D。其次,方波型界面結構增加了載流子復合界面的面積,分散了NPB/CBP:Ir(ppy)3界面處三線態(tài)激子,減少了三線態(tài)激子淬滅幾率,提高了三線
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