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1、在這篇論文里,首次詳細(xì)系統(tǒng)的研究了用MBE法生長(zhǎng)的AlGaAs/GaAs量子阱Be淺雜摻樣品的低溫光致熒光行為,同時(shí)觀察到雜質(zhì)相關(guān)的束縛激子和自由到束縛的復(fù)合躍遷的發(fā)光峰,并對(duì)于在不同的溫度和激發(fā)功率下的行為進(jìn)行了研究,同時(shí)也研究了LP-MOCVD法生長(zhǎng)的InAs/GaAs/InP量子點(diǎn)的低溫光致發(fā)光行為,同時(shí)對(duì)在低溫下量子點(diǎn)與溫度、激發(fā)功率以及引入表面張力以后對(duì)量子點(diǎn)熒光的影響進(jìn)行了研究,解釋了低溫下激子的行為以及導(dǎo)致量子點(diǎn)熒光紅移或
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