VDMOS功率器件和無源集成器件工藝開發(fā)和控制及其成品率的研究.pdf

1、隨著集成電路的迅速發(fā)展，制造工藝技術的不斷提高，使得CMOS的尺寸越來越小，從而使得集成電路的集成度越來越高。但在其間，一些特殊器件扮演了重要的角色。 與CMOS工藝相比，雖然由于工藝本質特征使其器件的尺寸比較大，但是，在某些高頻率、大功率器件的應用領域，大功率器件和無源器件較CMOS器件具有無法取代的優(yōu)勢。本文主要闡述了功率器件VDMOS和無源器件制造工藝的建立，并解決了這兩個工藝中關鍵問題，使得工藝獲得好的成品率，并進行量產

2、流程(一)介紹工作電壓20V、30V、60V、lOOV系列VDMOS工藝，工藝是通過技術轉移在上海先進半導體制造有限公司(ASMC)開發(fā)的一種特殊工藝，工藝采用特殊的設計，通過背面減薄和背面金屬化的方法，將VDMOS漏電極搬到背面，使得溝道由橫向變成縱向，進一步提高了電流能力。論文闡述了通過大量的實踐，主要對減小導通電阻，漏電流控制，在線顆粒控制三個關鍵問題進行的研究和解決，大幅度提高了產品良率，本論文的研究課題來源于企業(yè)的大規(guī)模生產實