磁過濾電弧離子鍍制備Y-AI-O薄膜——等離子體刻蝕防護涂層.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、  Y原子的引入能大大提高α-Al2O3多晶材料的抗蠕變性能,用電弧離子鍍工藝制備致密的Y-Al-O薄膜有望用作等離子刻蝕工藝中的防護涂層。電弧離子鍍工藝具有離化率高的優(yōu)點,磁過濾裝置的引入則能有效去除中性大顆粒污染,利于制備平整光滑的膜層。相對于傳統(tǒng)的氮化物硬質涂層,制備金屬氧化物是該工藝一個較新的領域,如何使膜層得到充分的氧化又是該領域的一個主要問題。我們采用一種自行設計的Y-Al靶材,用磁過濾電弧離子鍍工藝成功在尺寸為10cm×5

2、cm大小基片上鍍上表面平整光滑,可見光透過性好的Y-Al-O薄膜。AFM結果表明各膜層表面粗糙度與膜厚的比值為0.0036~0.0098,隨膜層氧含量增大而增大。膜層對可見光透過率可達70%~90%,依賴于膜層的氧化程度。我們探討了基片偏壓大小對所得膜層相結構的影響。當占空比為50%,偏壓大小為200V時,紅外光透射譜(FTIR)表明膜層以[AlO4]結構和γ-Al2O3相為主。偏壓上升到400V時,膜層以[AlO6]結構為主,出現(xiàn)α-

3、Al2O3相。X射線衍射(XRD)結果表明實驗D40O126所得氧化鋁基片膜層生成了YAG(Y3Al5O12)和Y2O3相。我們探討了通氧量,通氧方式和基片脈沖負偏壓占空比對膜層氧含量的影響。從金屬元素內層電子結合能與O1s電子結合能的差距來判斷,該類膜層氧化是較充分的。紫外-可見光(UV)透射譜以及XPS窄譜定量計算的結果均表明:相對于提高氧流量或改變通氧方式,基片脈沖負偏壓占空比的降低更有利于提高膜層的氧含量。膜層Y含量強烈依賴于通

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