硅粉的冷等離子體刻蝕提純研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、由于溫室效應引發(fā)的環(huán)境問題和能源壓力,太陽能將成為未來的主要能源。太陽級硅原料的昂貴成本限制了太陽能電池在地面的應用普及。傳統(tǒng)的多晶硅提煉工藝不僅成本高,而且產生的化學生成物對環(huán)境污染嚴重。因此需要尋找一種不依賴于半導體工業(yè)的硅原料供應體系。本學位論文利用輝光放電等離子體對硅粉料的作用,對低成本太陽級硅原料的純化工藝進行了一系列研究工作。
　　本論文通過分析等離子體鞘層模型和粉料在等離子體中的運動模型,計算得出鞘層厚度與電流密度、

2、陰極偏壓、氣壓的關系式、硅粉的沉降速率等重要參數,得到了完成有效刻蝕實驗所需的鞘層厚度和刻蝕時間,為后續(xù)的刻蝕實驗提供了理論基礎。按照理論分析進行了直流輝光放電等離子體刻蝕實驗,硅粉通過等離子體處理,雜質含量有明顯降低,表面形貌平整度有提高,硅粉純度從98.75％提高到99.56%。
　　同時,通過組分測試發(fā)現電極板中的Ni元素會對硅粉料造成污染。說明該方案還需進一步改進。設計了射頻感應放電等離子體的振動傾斜反應室,并對射頻等離子

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