等離子體干法刻蝕低介電常數(shù)絕緣材料的主要問(wèn)題與解決辦法.pdf

1、隨著高集成度的超大規(guī)模電路的飛速發(fā)展，器件尺寸逐漸縮小，RC延遲成為除器件的特征尺寸外決定器件功能的最主要因素之一。RC延遲大致正比于導(dǎo)線的電阻率和絕緣介質(zhì)的介電常數(shù)。要降低電阻率，可采用銅導(dǎo)線來(lái)取代鋁；而要降低介電常數(shù)，則必須采用低介電常數(shù)的絕緣材料，即Low-k材料。要降低絕緣材料的介電常數(shù)就必須減少材料內(nèi)部極化鍵的數(shù)目，并且降低材料的密度。與此同時(shí)帶來(lái)的主要問(wèn)題就是低介電常數(shù)材料的機(jī)械強(qiáng)度大大降低，材料組成的變化也將給干法刻蝕帶來(lái)

2、許多未曾遇到過(guò)的新問(wèn)題。
　　本論文通過(guò)干法去膠工藝菜單刻蝕介電常數(shù)為2.6的絕緣材料的實(shí)驗(yàn)，探究如何在等離子體干法刻蝕低介電常數(shù)材料的時(shí)候保持各向異性和所需要的選擇比，避免缺陷以及其他因?yàn)椴牧咸匦宰兓瘞?lái)的新問(wèn)題的方法。通過(guò)分析等離子體干法刻蝕對(duì)低介電常數(shù)材料造成損傷的機(jī)理，實(shí)驗(yàn)尋找出對(duì)損傷或缺陷影響最大的一些工藝參數(shù)，如氣體種類(lèi)、壓力、射頻頻率、功率等等。在掌握了以上工藝參數(shù)對(duì)Low-k材料損傷的影響規(guī)律之后，將其應(yīng)用到40n