含有缺陷的一維周期結(jié)構(gòu)相干熱輻射性質(zhì).pdf

1、近年來(lái)，隨著納米光子學(xué)的發(fā)展，微米或納米尺度微結(jié)構(gòu)奇特的熱輻射性質(zhì)引起了人們極大的興趣，這種結(jié)構(gòu)在熱光伏發(fā)電系統(tǒng)、能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等領(lǐng)域都有很好的應(yīng)用前景，本文就是研究了含有缺陷后的一維周期結(jié)構(gòu)的相干熱輻射性質(zhì)。
　　我們分析了含有普通非吸收缺陷層的一維有限長(zhǎng)度周期結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)，研究了缺陷層厚度對(duì)于反射率的影響、一維周期結(jié)構(gòu)的態(tài)密度分布，通過(guò)計(jì)算我們發(fā)現(xiàn)一維周期結(jié)構(gòu)在禁帶邊緣存在態(tài)密度峰，禁帶內(nèi)部態(tài)密度為0，引入缺陷后會(huì)相應(yīng)的出現(xiàn)缺

2、陷態(tài)的態(tài)密度峰。
　　對(duì)于含有吸收介質(zhì)SiC缺陷的一維有限長(zhǎng)度周期結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì)，我們也進(jìn)行了研究，缺陷層的插入方式分為直接插入和替代式插入，我們分析了缺陷層厚度、發(fā)射角度對(duì)發(fā)射率的影響，并對(duì)輻射的時(shí)間和空間相干性進(jìn)行了探討，給出了表征發(fā)射峰時(shí)間相干性的品質(zhì)因子及表征空間相干性的輻射角分布圖。
　　我們研究了含有吸收介質(zhì)缺陷SiC的半無(wú)限長(zhǎng)一維光子晶體結(jié)構(gòu)的相干熱輻射性質(zhì)，而缺陷層前面的周期結(jié)構(gòu)為有限長(zhǎng)度可以使得外側(cè)光場(chǎng)能夠