SiC-Ni異質(zhì)核殼型納米粒子吸波性能研究.pdf

1、核殼型納米復(fù)合粒子是以中心核和一層或多層異質(zhì)殼相結(jié)合的膠囊結(jié)構(gòu)材料，其通過(guò)化學(xué)或者物理法進(jìn)行制備。在提高內(nèi)核粒子的化學(xué)穩(wěn)定性時(shí)，也將異質(zhì)殼層獨(dú)有的電磁、光學(xué)等性能帶給內(nèi)層粒子核，從而改變內(nèi)層粒子的表面活性、分散性和穩(wěn)定性等性能。并且可通過(guò)控制核殼的厚度等實(shí)現(xiàn)復(fù)合性能的調(diào)控，從而得到有效的理想材料。近些年來(lái)，制備分析具有良好分散性及高度穩(wěn)定性的核殼型納米粒子已經(jīng)成為當(dāng)今復(fù)合材料、納米材料的研究趨勢(shì)。
　　在氫氣，氬氣，甲烷分壓分別為

2、10 KPa，20 KPa，7.5 KPa的混合氣氛下制備納米SiC@C核殼型復(fù)合粒子。利用XRD，Raman對(duì)納米粒子的成分進(jìn)行表征，利用TEM對(duì)形貌進(jìn)行分析。將納米SiC@C復(fù)合粒子均勻分散在石蠟基體中，在100 MHz～18 GHz頻率范圍內(nèi)測(cè)定其復(fù)介電常數(shù)。討論并分析了其吸波機(jī)制。
　　通過(guò)等離子直流電弧法，分別在CH4氣氛為2500 Pa，5000 Pa，10000 Pa的壓強(qiáng)下合成制備出粒徑分布在20～50nm的Ni@

3、SiC@C雙殼型復(fù)合納米顆粒。通過(guò)XRD、RAMAN、XPS、STEM-HAADF、TEM等表征手段對(duì)樣品顆粒的成分、結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。將復(fù)合納米粒子均勻分散在石蠟基體中，在100 MHz～18 GHz頻率范圍內(nèi)測(cè)定了其電磁參數(shù)。通過(guò)分析樣品雙殼層結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，SiC和石墨C對(duì)樣品介電性能的影響，我們知道了樣品介電常數(shù)主要是由于石墨C殼層的缺陷和SiC中(Vc)空位和(Vsi)空位造成的偶極子極化所引起。為了對(duì)SiC介電性能做更進(jìn)一步深入分析