高頻脈沖電沉積納米SiC-Ni復(fù)合鍍層的制備與研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對納米SiC-Ni復(fù)合鍍層的電沉積工藝及性能進行了較為系統(tǒng)的研究。主要實驗內(nèi)容包括以下幾個方面：通過實驗選擇合適的表面活性劑，其目的是使納米SiC顆粒在瓦特鍍液中得到較好的分散。選用陰離子表面活性劑、陽離子表面活性劑及復(fù)配使用的陰陽離子表面活性劑，通過沉降實驗、粘度測試對瓦特鍍液的分散性進行了測試，找到使納米SiC顆粒在瓦特鍍液中分散較好的表面活性劑。 采用頻率為100kHz高頻脈沖電源，在銅基上優(yōu)化了電鍍工藝，獲得了表面光

2、潔平整、SiC含量較高、與基質(zhì)金屬結(jié)合良好的納米SiC-Ni復(fù)合鍍層。在此工藝基礎(chǔ)上，本文通過改變鍍液中SiC含量、電流密度、脈沖電源的頻率、鍍液溫度等電鍍工藝參數(shù)獲得了鍍層內(nèi)不同SiC含量的納米SiC-Ni復(fù)合鍍層，并對鍍層的硬度進行了測試。實驗結(jié)果表明，電鍍工藝條件的改變會影響納米SiC-Ni復(fù)合鍍層的沉積速率、鍍層中SiC微粒的含量及鍍層的硬度。鍍層中SiC微粒的含量是影響復(fù)合鍍層的關(guān)鍵因素。隨著鍍層內(nèi)SiC微粒含量的增加，鍍層顯

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