高頻脈沖電沉積納米SiC-Ni復(fù)合鍍層的制備與研究.pdf

1、本文對(duì)納米SiC-Ni復(fù)合鍍層的電沉積工藝及性能進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究。主要實(shí)驗(yàn)內(nèi)容包括以下幾個(gè)方面：通過(guò)實(shí)驗(yàn)選擇合適的表面活性劑，其目的是使納米SiC顆粒在瓦特鍍液中得到較好的分散。選用陰離子表面活性劑、陽(yáng)離子表面活性劑及復(fù)配使用的陰陽(yáng)離子表面活性劑，通過(guò)沉降實(shí)驗(yàn)、粘度測(cè)試對(duì)瓦特鍍液的分散性進(jìn)行了測(cè)試，找到使納米SiC顆粒在瓦特鍍液中分散較好的表面活性劑。 采用頻率為100kHz高頻脈沖電源，在銅基上優(yōu)化了電鍍工藝，獲得了表面光

2、潔平整、SiC含量較高、與基質(zhì)金屬結(jié)合良好的納米SiC-Ni復(fù)合鍍層。在此工藝基礎(chǔ)上，本文通過(guò)改變鍍液中SiC含量、電流密度、脈沖電源的頻率、鍍液溫度等電鍍工藝參數(shù)獲得了鍍層內(nèi)不同SiC含量的納米SiC-Ni復(fù)合鍍層，并對(duì)鍍層的硬度進(jìn)行了測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，電鍍工藝條件的改變會(huì)影響納米SiC-Ni復(fù)合鍍層的沉積速率、鍍層中SiC微粒的含量及鍍層的硬度。鍍層中SiC微粒的含量是影響復(fù)合鍍層的關(guān)鍵因素。隨著鍍層內(nèi)SiC微粒含量的增加，鍍層顯